Замещение - атом
Cтраница 2
При замещении атома на изотоп с другой массой момент инерции изменяется, а с ним и константа вращения В. [16]
При замещении атомов А, В, С и D на атомы С, N, О, S, Н и С1 и для разных сочетаний связей была получена классификация реакций, насчитывающая около 2 тысяч типов, большинство которых еще не известны и подлежат открытию. В нашей лаборатории в результате сознательных поисков были найдены некоторые из них. Модель активного комплекса при дуб - графин, так как учитывает все летной дегидрогенизации. [17]
При замещении атомов в молекуле на изотопы не происходит изменений в поверхности потенциальной энергии этой молекулы, также отсутствуют изменения в поверхности потенциальной энергии реакций, в которые может вступать данная молекула. Причина изменения скорости химической реакции состоит в том, что меняются средние колебательные энергии молекул и активированного комплекса. Для всех трех частиц наблюдается одна и та же кривая, но нулевые уровни заметно различаются; их значения, считая от минимума на кривой, равны 6 18; 5 36 и 4 39 ккал соответственно. При сравнительно низких температурах молекулы находятся в пределах их нулевых уровней. Из этого следует, что молекула Н2 для диссоциации требует меньше энергии ( 103 22 ккал), чем молекула D2, на диссоциацию которой требуется 105 02 ккал. [18]
 |
Атом донорной примеси ( а, возникновение.| Атом акцепторной примеси ( а, возникновение. [19] |
При замещении атома германия или кремния атомом такой примеси у одной из валентных связей недостает электрона, что соответствует возникновению дырки ( рис. 1.14, о), дырка легка. Атом примеси при этом превращается в неподвижный отрицательный. [20]
При замещении атомов железа атомами никеля теплоемкость сначала уменьшается до 30 мол. [21]
При замещении атома германия атомом индия, имеющим три валентных электрона, они вступят в ковалентную связь с тремя атомами германия, а связи с четвертым атомом германия будут отсутствовать, так как у индия нет четвертого электрона. Восстановление всех связей возможно, если недостающий четвертый электрон будет получен от ближайшего атома германия. Но в этом случае на месте электрона, покинувшего атом германия, появится дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома германия. Процесс последовательного заполнения свободной связи эквивалентен движению дырок в полупроводнике. Таким образом, примесь индия повышает дырочную проводимость кристалла германия. [22]
При замещении атома германия атомом индия, имеющим три валентных электрона, они вступят в ковалентную связь с тремя атомами германия, а связи с четвертым атомом германия будут отсутствовать, так как у индия кет четвертого электрона. Восстановление всех связей возможно, если недостающий четвертый электрон будет получен от ближайшего атома германия. Но в этом случае на месте электрона в атоме германия появится дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома германия. Процесс последовательного заполнения свободной связи эквивалентен движению дырок в полупроводнике. Таким образом, примесь индия повышает дырочную проводимость кристалла германия. [23]
При замещении атома германия атомом индия, имеющим три валентных электрона, они вступят в ковалентную связь с тремя атомами германия, а связи с четвертым атомом германия будут отсутствовать, так как у индия нет четвертого электрона. Восстановление всех связей возможно, если недостающий четвертый электрон будет получен от ближайшего атома германия. Но в этом случае на месте электрона, покинувшего атом германия, ПОЯВИТСЯ дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома германия. [24]
При замещении атома германия индием возникают связи лишь с тремя атомами, а с четвертым - связь оказывается нарушенной. Для заполнения этой связи атом индия захватывает один из электронов, образующих валентную связь в кристалле, и дополняет свою внешнюю оболочку четвертым электроном; для этого требуется незначительная энергия - 0 011 эв. Возникновение дырки не сопровождается появлением свободного электрона. Атом индия приобретает отрицательный заряд, но этот заряд не может являться носителем. [25]
Наоборот, замещение атома кремния на атомы элементов пятой группы, например фосфора, мышьяка или сурьмы, создает в системе избыток электронов и, следовательно, п-проводимость. И это понятно: атомы пришельцев располагают большим числом валентных электронов, чем атомы хозяина, и часть их сравнительно свободно перемещается в кристалле. Такое изменение свойств полупроводника с помощью примесей называется легированием. Легирование приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны. [26]
 |
Зонная диаграмма и схема связей в германии, легированном мышьяком. [27] |
В случае замещения атома германия в узле решетки трехвалентным атомом примеси, например индия, одна из связей с ближайшим атомом германия остается незаполненной. Эти связи примесных атомов заполняются электронами собственно германия. Происходит образование дырок в кристалле германия. В запрещенной зоне появляются свободные энергетические уровни, расположенные весьма близко к верхней границе заполненной зоны. [28]
 |
Возникновение я-прово-димости кремния при легировании фосфором.| Возникновение р-прово. [29] |
Обобщая механизм замещения атомов кремния фосфором и алюминием, можно считать, что если валентность примесного атома больше валентности атома основной решетки, то примеси выполняют роль доноров, а полупроводник обладает проводимостью n - типа. При этом имеют в виду максимальную валентность элемента по кислороду и образование твердых растворов замещения. [30]
Страницы: 1 2 3 4