Атомная вакансия
Cтраница 1
 |
Дефекты кристаллических решеток. [1] |
Атомная вакансия - точечный дефект кристалла, характеризующийся отсутствием в узле кристаллической решетки атома, который по своей природе должен находиться в этом месте. [2]
Кластеры следует сравнивать с одиночными атомными вакансиями в кристаллах простых веществ. Концентрации тех и других постоянны, зависят только от температуры и заметно отличаются от концентраций одиночных дефектов в соединениях, для которых выполняются соотношения ( XIII. Различие статистических свойств одиночных дефектов в кристаллах простых веществ и в соединениях связано с тем, что в первом случае система является одно -, а во втором случае - двухкомпонентной. [3]
Количество присутствующих вакансий должно быть равно концентрации двухвалентных примесных ионов и частота перемещения Na является произведением концентрации атомных вакансий и частоты перемещения вакансий, которое находится из измерений проводимости. [4]
В разделе II, А, 2 уже отмечалось, что при низкой температуре и жесткой решетке ширина линии уменьшится, когда частота движения наблюдаемого ядра станет равной ширине линии, выраженной в сек-1. Количество присутствующих вакансий должно быть равно концентрации двухвалентных примесных ионов и частота перемещения Na является произведением концентрации атомных вакансий и частоты перемещения вакансий, которое находится из измерений проводимости. [5]
Диффузное рассеяние на дифракционных картинах может возникнуть из-за неправильного расположения атомов по узлам решетки, при котором сохраняется лишь ближний порядок заполнения этих положений ( гл. Наиболее важный дифракционный эффект, возникающий благодаря наличию малых дефектов в кристаллах, часто связан с полем деформации в окружающей области кристалла. При наличии атомной вакансии, атома внедрения или пары атомов либо атома примеси ( замещения) соседние атомы могут смещаться из своих положений в усредненной решетке на значительные доли межатомных расстояний. Смещения атомов довольно медленно уменьшаются с увеличением расстояния от точечных дефектов, так что наличие дефекта влияет на положение большого числа атомов. В результате дифракционный эффект, связанный со смещениями атомов, может быть значительно сильнее дифракционных эффектов, вызванных самими примесными атомами, атомами внедрения или вакансиями. [6]
 |
Иллюстрация явления ионизации атомов гелия под действием электрического поля, приложенного к поверхности металлического острия. [7] |
Образующиеся ионы получают затем ускорение и движутся по радиальным направлениям к экрану, ударяясь о который они дают изображение конца острия. Так как вероятность ионизации атомов гелия очень сильно зависит от локальной атомной структуры поверхности конца острия, то изображение на фосфоресцирующем экране будет отражать тонкие детали этой атомной структуры. Полученная таким образом микропроекция может иметь такое увеличение, что позволит видеть отдельные атомы и отдельные атомные вакансии. На рис. 30 приведен пример изображения, полученного с помощью ионной проекции. На такого типа фотографиях можно непосредственно видеть такие характерные детали, как границы зерен ( степень неупорядоченности при переходе через границу оказывается удивительно низкой и простирается лишь на несколько межатомных расстояний [378- 381]) и группы дислокаций, вызываемых действием радиации. [8]
Исследуя структуру расплавов Li, Na, К, Зей и Хоземан [301] указывают, что ГЦК-решетка может быть исключена. Из значений плотности и г0, которые оказались большими, чем в твердом состоянии, можно заключить, что около 2 - 5 % атомов лежат в промежуточных местах или принадлежат к ГЦК-микродоменам. Этот эффект приписан более низкой плотности упаковки ОЦК-решетки, поскольку в ГЦ-расплавах ( например, свинец) г0 не изменяется при точке плавления, но появляются промежуточные атомные вакансии. [9]
Страницы: 1