Ультравысокий вакуум

Cтраница 1

Ультравысокий вакуум необходим для исследования взаимодействия разреженных газов с чистыми металлическими поверхностями. [1]

Конструкция системы ультравысокого вакуума зависит от тех же материалов [98] и следует тем же принципам, что и конструкция стандартной вакуумной установки. Единственное отличие от стандартной методики обусловлено необходимостью изменять температуру всей системы. [2]

Сублимация в ультравысоком вакууме при условиях, близких к равновесным, достаточно эффективна для получения при относительно низких температурах подложки эпитаксиальных пленок, имеющих свойства, близкие к свойствам монокристалла. [3]

Продолжительное нагревание в ультравысоком вакууме может служить удовлетворительным методом очистки поверхности тугоплавких материалов высокой чистоты, единственными загрязнениями у которых являются растворенные и адсорбированные газы. Применение этого метода ограничено в связи с тем, что загрязнение поверхности может увеличиваться в результате диффузии небольших количеств таких нелетучих примесей, как кремний и углерод, которые остаются на поверхности. На поверхностях монокристаллов может происходить термическое травление, приводящее к образованию шероховатостей и нежелательных плоскостей кристалла, как, например, при нагревании кремния при температурах выше 1000 С. Этот метод нельзя применять к твердым телам с температурами плавления порядка нескольких сот градусов, если теплота адсорбции газов значительна. [4]

Образование свежей поверхности непосредственно в ультравысоком вакууме является эффективным с химической точки зрения методом, но может привести к структурным проблемам. Расщепление тщательно дегазированных кристаллов особенно легко осуществить при низкой симметрии их решетки. [5]

Термические характеристики редкоземельных металлов. [6]

Чистые РЗЭ получают в больших количествах в ультравысоком вакууме. Однако не во всякой лаборатории имеется такое оборудование. [7]

В 1953 г. Альперт [1] подробно описал способы получения ультравысокого вакуума. Его основной вклад в эту область заключался в создании ионизационного манометра, способного измерять давления меньше 10 11 мм рт. ст. Этот низший предел определяется фотоэлектрическим током с коллектора, вызванным мягким рентгеновским излучением, эмиттируемым сеткой под влиянием бомбардировки электронами. Его называют рентгеновским пределом манометра. Венема [67] смог получить давление 10 - 12 мм рт. ст. посредством специально сконструированного ртутного диффузионного насоса. [8]

В этом методе используются термически генерированные молекулярные пучки в ультравысоком вакууме. Рост покрытия осуществляется последовательным осаждением отдельных монослоев и приводит к формированию слоя, эпитаксиально связанного с лежащим ниже кристаллическим материалом. Толщина покрытий может достигать нескольких микрометров. Молекулярную эпитаксию широко применяют для выращивания пленок в микроэлектронике. Однако высокая стоимость и сложность процесса, низкая производительность, трудности получения хорошей адгезии делают применение метода для получения износостойких покрытий не слишком перспективным. [9]

Вольский и Зданук [33, 34] применяли такие же весы в ультравысоком вакууме ( до 10 - 10 мм рт. ст.) для исследования окисления поверхности германия, а Уолкер [35] - для высокотемпературных вакуумных исследований. [10]

Известно несколько подходов к исследованию явлений хемо-сорбции в системах с ультравысоким вакуумом. [11]

Большинство экспериментов сейчас выполняется in situ ( непосредственно внутри ЭМ) в условиях ультравысокого вакуума. Однако детектирование частиц - 10 А сильно затруднено шумами ( фазовыми контрастами) от зерен аморфной, главным образом углеродной подложки. [12]

Эти методы позволяют определить состав поверхности в ходе послойного снятия материала в условиях ультравысокого вакуума. [13]

Основные преимущества проекторов полного погружения заключаются в следующем: они позволяют довольно легко достичь ультравысокого вакуума и сохранять требуемое давление в течение любого промежутка времени, кроме того, используя эти проекторы, можно работать с конденсирующимися газами. К недостаткам следует отнести необходимость применения дополнительной криогенной аппаратуры, а также трудности, возникающие в том случае, если в трубке желательно иметь более одного источника газа. [14]

Рост толщины пассивой пленки ( А и изменение. [15]

Страницы: 1 2 3 4