Cтраница 2
Подобные эксперименты были проведены при изучении пассивации поверхности железа, приготовленной в системе с ультравысоким вакуумом, для того чтобы можно было правильно определить степень нарушения поляризации света на чистой поверхности. [16]
Методами высокоразрешающих реплик и электронной микроскопии на просвет изучены структура поверхности кремния при термическом травлении ее в ультравысоком вакууме и механизмы роста эпитаксиальной пленки. [17]
При определении характеристик чистых поверхностей и исследовании взаимодействия особо чистых газов с этими поверхностями большое значение имеет тот диапазон давлений в ультравысоком вакууме ( давления ниже 10 - 9 мм рт. ст.), в пределах которого проводятся измерения. [18]
Метод флеш-десорбционной спектрометрии и методы изучения каталитической активности напыленных пленок представляют два из многих полезных подходов для исследования явлений адсорбции в системах с ультравысоким вакуумом. Оба этих метода уже широко используются и результатом этого является стандартизация методики исследования. Далее, если методика упрощена, требуется чрезвычайная осторожность при интерпретации результатов. В настоящее время ни одна из этих методик не пригодна для исследования влияния структуры поверхности на адсорбцию, однако совместно с такими методами, как автоэлектронная эмиссия, дифракция медленных электронов и инфракрасная спектроскопия, они представляют мощный подход к пониманию поверхностных явлений. [19]
Примем, что для получения и сохранения свободной от примесей поверхности совершенно обязательно использовать металлы самой высокой чистоты и хранить их или в ультравысоком вакууме, или в исключительно чистых газах, которые предполагается использовать в эксперименте. [20]
По данным [448], селениды молибдена, вольфрама, ниобия успешно применяют в последнее время в качестве ингридиентов самосмазывающих материалов, предназначенных для работы на трение в ультравысоком вакууме. [21]
Таким способом Гопкинс, Ми и Паркер [59] установили, что пленка алюминия на стекле вполне может служить отсчетным электродом при давлении 02 вплоть до 1 мм рт. ст. КРП между очищенной методом вспышки фольгой вольфрама и пленкой золота, полученной и выдержанной в условиях ультравысокого вакуума, оказалась равной 4 - 0 16 В. При введении кислорода до давления 1 мм рт. ст. КРП резко понизилась до - 1.15 В. Быстрая откачка до 10 - 8 мм рт. ст. не привела к заметному изменению, а исходное значение 0.16 В было получено вновь после очистки вспышкой вольфрамовой фольги в отдельной части ячейки, экранированной от пленки золота. Таким образом, ПП кислорода на золоте равен нулю в пределах ошибки измерения 0.02 В. [22]
О получении и измерении ультравысокого вакуума написано много прекрасных трудов [11, 28, 48, 57], мы же рассмотрим только основные этапы разработки этого метода. [23]
Этот вопрос был исследован с помощью спектров десорбции. Пленка никеля, приготовленная в ультравысоком вакууме при 10 - 10 мм рт. ст., была покрыта водородом при 77 К. Затем пленку быстро нагревали при непрерывном откачивании и измерениях температуры и давления. При достижении температурной области, в которой соответствующая адсорбционная фаза становится нестабильной, происходила быстрая десорбция; этот десорбцион-ный пик регистрировался на диаграмме давление - время. [24]
Эта пленка десорбируется иногда лишь в ультравысоком вакууме. [25]
Поэтому, если такая прочная пленка и существует при обычных давлениях, в интервале которых изучаются адсорбционные и каталитические свойства металлов, возможно, что она при температурах опытов, по крайней мере в случае некоторых газов и металлов, перемещается в глубь кристаллической решетки или покрывает не всю поверхность. Если ультрачистые металлы существуют только при ультравысоком вакууме, то они представляют для нас меньший интерес, чем обычные металлы, закономерности явлений на которых: мы исследуем. При соприкосновении таких ультра-чистых поверхностей с веществами, адсорбция или реакция которых изучается, вновь могла бы образоваться аналогичная пленка. Специфические закономерности адсорбции на обычных металлических поверхностях ( даже при наличии полупроводниковой пленки), по-видимому, не менее существенны, чем закономерности адсорбции на ультра-чистых поверхностях. [26]
В хорошо собранной системе, смонтированной надлежащим образом, прогревание фактически снимает остаточные напряжения в стекле. Однако этот период является наиболее опасным в работе с ультравысоким вакуумом, ибо любое соприкосновение с атмосферой при 450 в результате жестких условий окисления может привести к разрушению металлических частей системы. Если установка растрескивается при нагревании, то это обычно может быть следствием либо чрезмерно жесткой сборки, либо нарушения регулировки температуры. [27]
Метод заключается в нагреве тонкого острия радиусом 50 - 100 нм исследуемого металла ( Mo, W, Re, Os, Ir), который является катодом; анодом является флоуресцирующий экран. При разности потенциалов между электродами около 10 кВ и ультравысоком вакууме на острие возникает электрическое поле, достигающее нескольких вольт на 1 нм. Малый размер острия иглы по сравнению с величиной экрана дает возможность получить увеличение более чем в 105 раз. [28]
Металлическая ртуть часто применяется в вакуумных установках в качестве затворов. К преимуществам таких вакуумных ртутных насосов следует отнести возможность получения ультравысокого вакуума. Если замена ртутных насосов другими нежелательна по какой-либо причине, то работу надо проводить в условиях, исключающих загрязнение лабораторных помещений парами ртути. Каркас крепления вакуумного аппарата должен быть металлическим. Отдельные приборы, содержащие ртуть, должны находиться в эмалированных противнях или в глубоких металлических коробках. Если вакуумная установка небольшая, то вся она должна стоять в глубоком противне, но и в этом случае отдельные части ее должны находиться под защитой стальных коробок или колпачков. Использовать при монтаже такой установки деревянные подкладки, корковые пробки и тому подобные материалы недопустимо. [29]
Электронный проектор должен удовлетворять двум требованиям. Во-первых, это должен быть прибор, позволяющий работать в ультравысоком вакууме при давлениях не больше 2 - 10 - 10 мм рт. ст., чтобы обеспечить чистоту поверхности в течение всего опыта. Кроме того, он должен быть обеспечен таким устройством для введения газа, чтобы не адсорбирующиеся на острие молекулы немедленно откачивались. Это особенно важно при исследовании поверхностной диффузии, когда острие сначала подте-няется с помощью направленного источника газа. [30]