Cтраница 2
Модельное представление Вант-Гоффа о регулярно тетраэдрическом расположении четырех заместителей, соединенных с атомом углерода, ведет дальше, чем общие рассуждения ЛеБеля о симметрии. Оно подчеркивает определенное расположение, позволяет определить число возможных пространственноизомерных соединений и дает возможность сделать поддающиеся опытной проверке предположения относительно связи между строением и свойствами молекул. [16]
![]() |
Операторы ( прямые программы, выделяющие простые локальные признаки типа край черное - белое. [17] |
Изложенные модельные представления позволяют интерпретировать ряд психофизиологических и клинических данных, в частности явление фрагментарности, возникающее при некоторых повреждениях головного мозга у человека. Такие больные часто не замечают, что на предложенном рисунке опущены существенные детали. Существенно, что может быть упущена любая деталь рисунка - верхняя, нижняя, правая, левая или средняя. По-видимому, в этих случаях у больных нарушается тонкая работа механизма формирования кода-описания и не все признаки оказываются в него включены. [18]
Элементарное модельное представление о спине связывается с вращением электрона вокруг собственной оси. Однако это представление противоречит специальной теории относительности ( VI. [19]
Модельное представление информационных множеств дает возможность выбора наиболее эффективной СУБД для поддержания технологии выполнения проектных работ, обоснования необходимого семейства ( и требований к ним) языков задания проектных решений разработки интеграции обрабатываемых данных и их метаинформационной спецификации на этапах функционирования СОЭЙ. [20]
Модельное представление оптико-электронного тракта требует записи входного сигнала - яркостного поля в пространстве предметов в виде массива отсчетов ( см. гл. [21]
Модельные представления механизма образования носителей заряда в собственном и примесных полупроводниках были рассмотрены ранее. [22]
Модельные представления механизма образования носителей заряда в собственном и примесном полупроводниках были рассмотрены в § 7.3. Как отмечалось, в отсутствие внешнего электрического поля носители заряда ( электроны и дырки) совершают хаотическое движение в пределах кристалла. При приложении внешнего электрического поля преимущественным направлением движения электронов становится движение против поля, дырок - в направлении поля. Последнее объясняется тем, что движение дырки осуществляется посредством движения электрона, участвующего в ковалентной связи. Следовательно, преимущественным движением дырок в электрическом поле будет движение, противоположное направлению движения электронов. Таким образом, движение дырки во внешнем электрическом поле подобно движению положительно заряженной частицы. [23]
Согласно первоначальным модельным представлениям [7, 21, 22] структура межкристаллитного вещества характеризуется произвольным размещением атомов и отсутствием не только дальнего, но и ближнего порядка. [25]
![]() |
Модель молекулы пропана на активном центре катализатора TiCl3. [26] |
Эти модельные представления объясняют кинетические особенности реакции ( скорость пропорциональна количеству TiCl3 и не зависит от А1 ( С2Н5) 3; первый порядок по давлению олефина) и индивидуальные особенности некоторых переходных металлов. [27]
Однако модельные представления этой теории не могут быть положены в основу изложения всей органической химии, ибо их назначение - решение какой-либо математической задачи. Химики часто их преобразуют в соответствии со своими конкретными представлениями, что не является строгим. [28]
![]() |
Модель молекулы пропана на активном центре катализатора TiCl3. [29] |
Эти модельные представления объясняют кинетические особенности реакции ( скорость пропорциональна количеству Т1С13 и не зависит от А1 ( С2Н5) 3; первый порядок по давлению олефина) и индивидуальные особенности некоторых переходных металлов. [30]