Преимущество - описанный метод
Cтраница 3
Водные дисперсии пигментов применяют для крашения соединений, подобных эмульсионным краскам. Их получают при суспен-дировании пигментов в воде или смешивающихся с водой растворителями в присутствии поверхностно-активных веществ. К 5 - 10 г пасты, помещенной в пробирку для центрифугирования, вместимостью 100 мл, добавляют около 80 мл горячей смеси растворителей и полученную суспензию центрифугируют для отделения флок-кулированного пигмента. Повторяя обработку, полностью удаляют поверхностно-активные вещества, а пробирку с пигментом сушат до постоянной массы. Преимущество описанного метода состоит в том, что после полного удаления поверхностно-активного вещества растворитель может быть отделен отгонкой. Некоторые пигменты устойчивы к флоккуляции и их дисперсия не разлагается при действии ацетоном. В этом случае необходимо применять более жесткие условия, добавляя несколько капель соляной кислоты. Конечно это может создать трудности при анализе. Так Пигмент зеленый В разлагается под действием кислоты. Поэтому кислая обработка должна применяться только в крайних случаях. [31]
Альтернативный метод заключается в использовании полупроводникового Si ( Li) - детектора. Поглощенное в детекторе излучение вызывает появление зарядового сигнала ( импульса) на выходе детектора, причем величина импульса прямо пропорциональна энергии фотона. После усиления импульсы подаются на многоканальный амплитудный анализатор на базе миниЭВМ, который выдает полный спектр образца. Линии спектра соответствуют входящим в состав образца элементам. Количественные измерения проводятся путем интегрирования общего числа импульсов в пике. Преимущества описанного метода детектирования и анализа заключаются в его экспрессности, возможности одновременного анализа всех элементов, отсутствии связанных с дифракцией искажений. Отпадает также необходимость в точной регулировке движения кристаллов. [32]
 |
Участок кремниевой ИС с МДП-транзистором на сапфировой подложке. [33] |
Структуры элементов 7 ( транзисторов, резисторов) в пленке кремния получают мето-7 дами планарной технологии. На рис. 2.42 схематически изображен участок ИС с МДП-транзистором на сапфировой подложке. Изоляция выполняется с помощью вытравливания эпитаксиальной пленки на всю ее толщину. Затем изготовляются активные элементы. Токи утечки между изолированными таким способом областями практически отсутствуют, а емкости между активными элементами по крайней мере в несколько десятков раз меньше, чем при изоляции р-я-переходом. В итоге быстродействие ИС на сапфировой подложке получается на порядок выше, чем обычных ИС. Особенно заметны преимущества описанного метода изоляции для ИС на МДП-транзисторах: выигрыш в быстродействии достигает почти двух порядков, и МДП ИС по быстродействию становятся сравнимыми с ИС на биполярных транзисторах. Сапфировая подложка может быть заменена шпинелью ( стехиоме-трическое соединение MgO - Al2O3), более близкой к кремнию по своей кристаллической структуре, чем сапфир, и вносящей в кремний меньше примеси. [34]
Страницы: 1 2 3