Автоэлектрон

Cтраница 1

Пучок автоэлектронов, эмиттируемый с острия ( 3), вырезается зондирующим отверстием в аноде ( 4), фокусируется в центре молибденового полусферического коллектора ( 8) и далее движется по нормали к поверхности полусферы. Кривая задержки записывается на самописце, а затем дифференцируется. [1]

Зависимость выхода ионов в конце ( С и в начале С импульса радиочастотных колебаний от потенциала ионизации атомов. [2]

Они ионизируются пучком автоэлектронов, испускаемых зондом. [3]

Анализатор полных энергий автоэлектронов является одним из наиболее перспективных автоэмиссионных приборов для исследования внутренней структуры твердого тела и поверхности потенциального барьера. [4]

Другим интересным вопросом является распределение автоэлектронов по энергиям. Эмиттирующий катод окружен анодом в виде сетки и находящимся за ней коллектором. Анод находится при высоком положительном потенциале, который обеспечивает автоэлектронный ток ic достаточной величины. Когда потенциал коллектора равен потенциалу катода, электроны не могут попасть на него, так как энергия, которую они получили на пути к аноду, равна энергии, теряемой ими на второй половине пути, и они приходят на коллектор с нулевой энергией. Так как коллектор имеет большой радиус кривизны, то электрическое поле на его поверхности незначительно. Поэтому, чтобы вызвать ток в цепи коллектора, электроны должны преодолеть потенциальный барьер ус вещества, из которого изготовлен коллектор. [5]

Для объяснения результатов измерений энергетического распределения автоэлектронов и механизма автоэмиссии из углеродных пленок на основе нанотрубок предложены несколько моделей. [6]

Наблюдается также схожесть результатов энергетического распределения автоэлектронов из нанотрубок и металлов. [7]

Энергетическая диаграмма физической модели автоэлектронной эмиссии электронов из углеграфитового катода. [8]

В работе [175] подробно исследуется распределение автоэлектронов по полным энергиям из полиакрилонитрильного углеродного волокна типа ВМН-РК с температурой термической обработки 900 С. [9]

Существует несколько основных типов анализаторов полных энергий автоэлектронов. Ниже приведем две конструкции анализаторов, изготовленные автором. [10]

Энергетическая диаграмма полевой эмиссии электронов из эмигрирующего кристаллита ПАН УВ-катода после перехода во второе стабильное состояние, соответствующее аномальному энергетическому спектру автоэлектронов с дополнительным низкоэнергетическим максимумом. [11]

Данная модель устанавливает жесткую взаимосвязь нормального и аномального энергетического спектра автоэлектронов через явление самопроизвольной перестройки эмигрирующего кристаллита. Переход кристаллита после прогрева из состояния с большей плотностью упаковки атомов в состояние с меньшей плотностью упаковки, соответствующее нормальному энергетическому спектру автоэлектронов, вызывает аналогию и предположение, что эти два состояния кристаллита являются проекцией двух типов кристаллической решетки графита - ромбоэдрической и гексагональной. [12]

При большой плотности тока имеет место сильный разогрев поверхности катода, автоэлектрон ная эмиссия уступает место термоэмиссии и возникает дуговой разряд. [13]

При большой плотности тока имеет место сильный разогрев поверхности катода, автоэлектрон ная эмиссия уступает место термоэмиссии и возникает дуговой разряд. [14]

Зависимость положения максимума энергетического распределения автоэлектронов, эмиттированных из нанотрубки, от вытягивающего напряжения. [15]

Страницы: 1 2 3