Cтраница 1
Приемники проникающей радиации на основе монокристаллов полупроводников с p - n - переходом, имеющим большую толщину, позволяют регистрировать и спектрометрировать длинно-пробежные частицы высокой энергии. [1]
Приемники проникающей радиации на основе монокристаллов полупроводников с p - n - переходом, имеющим большую толщину, позволяют регистрировать и спектрометрировать длиннопробежные частицы высокой энергии. [2]
Приемники проникающей радиации на основе монокристаллов полупроводников с р-п-переходом, имеющим большую толщину, позволяют регистрировать и спектрометрировать длинно-пробежные частицы высокой энергии. [3]
Отличаются эти приемники проникающей радиации друг от друга в основном внешним конструктивным оформлением. Чувствительностью к рентгено - и гамма-излучению помимо перечисленных приемников проникающей радиации обладают сернисто-кадмиевые фоторезисторы ФСК-М и ФСК, а также селенисто-кадмиевые ФСД. Однако удельная чувствительность фоторезистопов к проникающей радиации примерно на два порядка меньше, чем приемников проникающей радиации. Свойства приемников проникающей радиации характеризуются зависимостями и параметрами, аналогичными зависимостям и параметрам фоторезисторов. [4]
Отличаются эти приемники проникающей радиации друг от друга в основном внешним конструктивным оформлением. Чувствительностью к рентгено - и гамма-излучению помимо перечисленных приемников проникающей радиации обладают сернисто-кадмиевые фоторезисторы ФСК М и ФСК, а также веленисто-кадмиевые ФСД. Однако удельная чувствительность фоторезисторов к проникающей радиации примерно на два порядка меньше, чем приемников проникающей радиации. Свойства приемников проникающей радиации характеризуются зависимостями и параметрами, аналогичными зависимостям и параметрам фоторезисторов. [5]
Отличаются эти приемники проникающей радиации друг от друга в основном внешним конструктивным оформлением. Чувствительностью к рентгене - и гамма-излучению помимо перечисленных приемников проникающей радиации обладают сернисто-кадмиевые фоторе-зисторы ФСК. [6]
Принцип действия такого приемника проникающей радиации и частиц высокой энергии аналогичен принципу действия фотодиода. Приемник проникающей радиации или частиц высокой энергии на основе монокристаллов полупроводника с р-тг-переходом используют при подаче на него обратного напряжения. Поглощение в полупроводнике частиц высокой энергии или проникающей радиации приводит к возникновению новых неосновных носителей заряда и, следовательно, к увеличению обратного тока. [7]
Принцип действия такого приемника проникающей радиации и частиц высокой энергии аналогичен принципу действия фотодиода. Приемник проникающей радиации или частиц высокой энергии на основе монокристаллов полупроводника с р-п-переходом используют при подаче на него обратного напряжения. Поглощение в полупроводнике частиц высокой энергии или проникающей радиации приводит к возникновению новых неосновных носителей заряда и, следовательно, к увеличению обратного тока. [8]
Принцип действия такого приемника проникающей радиации и частиц высокой энергии аналогичен принципу действия фотодиода. Приемник проникающей радиации или частиц высокой энергии на основе монокристаллов полупроводника с р-я-переходом используют при подаче на него обратного напряжения. Поглощение в полупроводнике частиц высокой энергии или проникающей радиации приводит к возникновению новых неосновных носителей заряда и, следовательно, к увеличению обратного тока. [9]
Как принцип действия, так и метод изготовления приемников проникающей радиации на основе поликристаллических полупроводников аналогичен методу изготовления поликристаллических фоторезисторов. Основой приемника проникающей радиации является поликристаллический слой селенистого или сернистого кадмия, нанесенный на проводящую подложку путем, например, возгонки в вакууме. Эта подложка служит одновременно одним из электродов приемника проникающей радиации. [10]
Как принцип действия, так и метод изготовления приемников проникающей радиации на основе поликристаллических полупроводников аналогичен методу изготовления поликристаллических фоторезисторов. Основой приемника проникающей радиации является поликристаллический слой селенистого или сернистого кадмия, нанесенный на проводящую подложку путем, например, возгонки в вакууме. Эта подложка служит одновременно одним из электродов приемника проникающей радиации. [11]
Принцип действия такого приемника проникающей радиации и частиц высокой энергии аналогичен принципу действия фотодиода. Приемник проникающей радиации или частиц высокой энергии на основе монокристаллов полупроводника с р-тг-переходом используют при подаче на него обратного напряжения. Поглощение в полупроводнике частиц высокой энергии или проникающей радиации приводит к возникновению новых неосновных носителей заряда и, следовательно, к увеличению обратного тока. [12]
Принцип действия такого приемника проникающей радиации и частиц высокой энергии аналогичен принципу действия фотодиода. Приемник проникающей радиации или частиц высокой энергии на основе монокристаллов полупроводника с р-п-переходом используют при подаче на него обратного напряжения. Поглощение в полупроводнике частиц высокой энергии или проникающей радиации приводит к возникновению новых неосновных носителей заряда и, следовательно, к увеличению обратного тока. [13]
Принцип действия такого приемника проникающей радиации и частиц высокой энергии аналогичен принципу действия фотодиода. Приемник проникающей радиации или частиц высокой энергии на основе монокристаллов полупроводника с р-я-переходом используют при подаче на него обратного напряжения. Поглощение в полупроводнике частиц высокой энергии или проникающей радиации приводит к возникновению новых неосновных носителей заряда и, следовательно, к увеличению обратного тока. [14]
Как принцип действия, так и метод изготовления приемников проникающей радиации на основе поликристаллических полупроводников аналогичен методу изготовления поликристаллических фоторезисторов. Основой приемника проникающей радиации является поликристаллический слой селенистого или сернистого кадмия, нанесенный на проводящую подложку путем, например, возгонки в вакууме. Эта подложка служит одновременно одним из электродов приемника проникающей радиации. [15]