Cтраница 2
Литий, представляющий собой донорную примесь для кремния и германия, имеет чрезвычайно высокий коэффициент диффузии, а ионы лития - большую подвижность при наличии электрического поля в монокристаллах кремния или германия. При изготовлении, например, кремниевых приемников проникающей радиации используют толстые ( более 10 мм) монокристаллические пластинки высокоомного кремния с примесью бора. [16]
При проникновении в кристалл полупроводника частицы высокой энергии вдоль ее трека образуется колонка ионизации, геометрические размеры которой могут быть относительно большими, так как пробег частицы высокой энергии в полупроводнике может составлять десятки сантиметров. Поэтому толщина p - n - перехода приемника проникающей радиации или частиц высокой энергии должна существенно превышать толщину p - n - перехода фотодиода и других диодов. [17]
Наиболее существенные результаты в создании диодов с большой толщиной р-п-перехода достигнуты при использовании диффузии атомов лития в кремний или германий с электропроводностью р-типа с последующим дрейфом ионов лития. Литий, представляющий собой донорную примесь для кремния и германия, имеет чрезвычайно высокий коэффициент диффузии, а коны лития - большую подвижность при наличии электрического поля в монокристаллах кремния или германия. При изготовлении, например, кремниевых приемников проникающей радиации используют толстые ( более 10 мм) монокристаллические пластинки высокоомного кремния с примесью бора. Диффузия лития с одной стороны пластинки кремния проводится при относительно низкой температуре ( 300 - 600 С) в течение нескольких минут. В дальнейшем к полученному р-п-пере-ходу прикладывают обратное напряжение при одновременном нагреве кристалла до температуры около 200 С. Из-за большой подвижности ионы лития дрейфуют в электрическом поле, компенсируя исходную проводимость или заряды ионов бора в р-п-переходе. В результате получается распределение примесей по толщине кристалла, показанное на рис. 10.16. Таким методом создают диоды с толщиной p - n - перехода до 10 мм. [18]
Как принцип действия, так и метод изготовления приемников проникающей радиации на основе поликристаллических полупроводников аналогичен методу изготовления поликристаллических фоторезисторов. Основой приемника проникающей радиации является поликристаллический слой селенистого или сернистого кадмия, нанесенный на проводящую подложку путем, например, возгонки в вакууме. Эта подложка служит одновременно одним из электродов приемника проникающей радиации. [19]
Отличаются эти приемники проникающей радиации друг от друга в основном внешним конструктивным оформлением. Чувствительностью к рентгено - и гамма-излучению помимо перечисленных приемников проникающей радиации обладают сернисто-кадмиевые фоторезисторы ФСК-М и ФСК, а также селенисто-кадмиевые ФСД. Однако удельная чувствительность фоторезистопов к проникающей радиации примерно на два порядка меньше, чем приемников проникающей радиации. Свойства приемников проникающей радиации характеризуются зависимостями и параметрами, аналогичными зависимостям и параметрам фоторезисторов. [20]
Отличаются эти приемники проникающей радиации друг от друга в основном внешним конструктивным оформлением. Чувствительностью к рентгено - и гамма-излучению помимо перечисленных приемников проникающей радиации обладают сернисто-кадмиевые фоторезисторы ФСК М и ФСК, а также веленисто-кадмиевые ФСД. Однако удельная чувствительность фоторезисторов к проникающей радиации примерно на два порядка меньше, чем приемников проникающей радиации. Свойства приемников проникающей радиации характеризуются зависимостями и параметрами, аналогичными зависимостям и параметрам фоторезисторов. [21]
Отличаются эти приемники проникающей радиации друг от друга в основном внешним конструктивным оформлением. Чувствительностью к рентгено - и гамма-излучению помимо перечисленных приемников проникающей радиации обладают сернисто-кадмиевые фоторезисторы ФСК-М и ФСК, а также селенисто-кадмиевые ФСД. Однако удельная чувствительность фоторезистопов к проникающей радиации примерно на два порядка меньше, чем приемников проникающей радиации. Свойства приемников проникающей радиации характеризуются зависимостями и параметрами, аналогичными зависимостям и параметрам фоторезисторов. [22]
Отличаются эти приемники проникающей радиации друг от друга в основном внешним конструктивным оформлением. Чувствительностью к рентгено - и гамма-излучению помимо перечисленных приемников проникающей радиации обладают сернисто-кадмиевые фоторезисторы ФСК М и ФСК, а также веленисто-кадмиевые ФСД. Однако удельная чувствительность фоторезисторов к проникающей радиации примерно на два порядка меньше, чем приемников проникающей радиации. Свойства приемников проникающей радиации характеризуются зависимостями и параметрами, аналогичными зависимостям и параметрам фоторезисторов. [23]
Отличаются эти приемники проникающей радиации друг от друга в основном внешним конструктивным оформлением. Чувствительностью к рентгене - и гамма-излучению помимо перечисленных приемников проникающей радиации обладают сернисто-кадмиевые фоторе-зисторы ФСК. Однако удельная чувствительность фоторезисторов к проникающей радиации примерно на два порядка меньше, чем приемников проникающей радиации. Свойства приемников проникающей радиации характеризуются зависимостями и параметрами, аналогичными зависимостям и параметрам фоторезисторов. [24]
Отличаются эти приемники проникающей радиации друг от друга в основном внешним конструктивным оформлением. Чувствительностью к рентгене - и гамма-излучению помимо перечисленных приемников проникающей радиации обладают сернисто-кадмиевые фоторе-зисторы ФСК. Однако удельная чувствительность фоторезисторов к проникающей радиации примерно на два порядка меньше, чем приемников проникающей радиации. Свойства приемников проникающей радиации характеризуются зависимостями и параметрами, аналогичными зависимостям и параметрам фоторезисторов. [25]
Как принцип действия, так и метод изготовления приемников проникающей радиации на основе поликристаллических полупроводников аналогичен методу изготовления поликристаллических фоторезисторов. Основой приемника проникающей радиации является поликристаллический слой селенистого или сернистого кадмия, нанесенный на проводящую подложку путем, например, возгонки в вакууме. Эта подложка служит одновременно одним из электродов приемника проникающей радиации. Этот второй электрод в связи с малой его толщиной является прозрачным для рентгеновского излучения и тем более для гамма-излучения. Таким образом, в отличие от фоторезисторов в приемниках проникающей радиации электроды расположены на противоположных поверхностях поликристаллического полупроводникового слоя. [26]