Фотогальванический приемник - излучение
Cтраница 1
 |
Устройство фотодиода ( а и режимы его работы. фотогальванический ( б и фотодиодный ( в. [1] |
Фотогальванические приемники излучения относятся к большой группе приборов, чувствительный элемент которых содержит р-п переход. [2]
 |
Схема монтажа солнечных. [3] |
Фотогальванические приемники излучения нспйльзуют в различных отраслях науки и техники, там, гд теобл. [4]
Фототиристором называется фотогальванический приемник излучения с тремя или более р-п-переходами, в вольт-амперной характеристике которого имеется участок отрицательного дифференциального сопротивления. [5]
Фотодиодом называется фотогальванический приемник излучения без внутреннего усиления, фоточувствительный элемент которого имеет структуру полупроводникового диода. Изготовляют фотодиоды из кремния, германия, селена, арсенида галлия и других полупроводников. [6]
Фототранзистором называется фотогальванический приемник излучения с внутренним усилением, фотогальванический элемент которого имеет структуру транзистора. [7]
 |
Структура фотодиода.| Схема включения фотодиода в вентняьном ( а и фотодиодном ( б режиме. [8] |
Фотодиодом называют фотогальванический приемник излучения без внутреннего усиления, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полупроводникового диода. [9]
 |
Применение туннельного диода в режиме. [10] |
Фотодиод представляет собой фотогальванический приемник излучения без внутреннего усиления, фэточувствительный элемент которого содержит структуру полупроводникового диода. Фотодиод сочетает в себе достоинства полупроводниковых приборов ( малые масса и размеры, большой срок службы, низкие питающие напряжения, экономичность) с более высокой чувствительностью по сравнению с электровакуумными фотоэлементами и фоторезисторами. [11]
 |
Конструкция фототранзистора.| Двухполюсная схема включения фототранзистора. [12] |
Фототранзистор представляет собой фотогальванический приемник излучения, фоточувствительный элемент которого содержит структуру транзистора, обеспечивающую внутреннее усиление. [13]
 |
Устройство фототранзистора ( а и способы его включения ( б, в. [14] |
Принцип работы фотогальванических приемников излучения основан на использовании внутреннего фотоэффекта - процесса ионизации атомов при оптическом облучении. Интенсивность ионизации зависит от энергии световых квантов - фотонов, силы их потока и внутренней энергии вещества, определяемой спектром поглощения. [15]
Страницы: 1 2