Фотогальванический приемник - излучение
Cтраница 2
Увеличение КПД фотогальванических приемников излучения достигается соответствующим выбором полупроводникового вещества. К ним относятся германий Ge ( 0 67 эВ), кремний Si ( 1 12), арсенид галлия GaAs ( 1 35), теллурид кадмия CdTe ( 1 5) и др. Другой способ увеличения КПД - создание многослойных приемников из полупроводников, каждый из которых поглощает энергию излучения определенного спектрального состава. [16]
К основным характеристикам фотогальванического приемника излучения относятся: вольт-амперная, световая и спектральная. [18]
Основными типами фотоэлементов, используемых в качестве фотогальванических приемников излучения, служат селеновые и сернистосеребряные фотоэлементы. Устройство селенового фотоэлемента было показано на рис. 14 - 8, а. [19]
В последующие годы электровакуумные приборы вытеснили несовершенные в то время полупроводниковые приборы. Однако работы по исследованию полупроводниковых приборов продолжались - были созданы промышленные образцы полупроводниковых меднозакпс-ных выпрямителей и меднозакисных и селеновых фотогальванических приемников излучения. [20]
 |
Структура фотоэлемента. [21] |
Фотогальваническим называют фотоприемник, принцип действия которого основан на фотогальваническом эффекте. Фотогальваниче-кие приемники излучения являются прямыми преобразователями световой энергии в электрическую. Иногда фотогальванические приемники излучения называют фотоэлементами, а приемники, предназначенные для преобразования солнечной энергии, - солнечными фотоэлементами или солнечными батареями. Более строго понятие фотоэлемент); следует относить не ко всему прибору, а только к его фоточувствительной части, обладающей свойством внутреннего фотоэффекта. Фотогальванический внутренний эффект заключается в следующем. [22]
Наибольшей чувствительностью ( 0 2 - 0 5 А-лм -) обладают германиевые фотоприемники с р-п-р-переходами - фототранзисторы. Значительное увеличение квантового выхода фотоэффекта ( до т) к1 0) в фотоприемниках этого типа объясняется возникновением вторичных процессов. Фотогальваническим приемником излучения без внутреннего усиления фототока ( в отличие от фототранзистора - с дополнительным усилением фототока на втором р-л-перехо-де) является фотодиод. Наиболее распространены германиевые и кремниевые фотодиоды. [23]
Страницы: 1 2