Cтраница 1
Свободная валентность, блуждающая по кристаллу, может вызвать разрыв валентной связи внутри адсорбирующейся молекулы по механизму, аналогичному механизму взаимодействия радикала с молекулой. [1]
Свободные валентности на поверхности кристалла должны играть весьма важную роль при химической адсорбции и при реакциях, протекающих на поверхности. При их помощи разрываются валентные связи в молекулах в момент адсорбции, в результате чего молекулы в адсорбированном состоянии оказываются реакционно-способными. [2]
Свободная валентность очень активна и может вызвать ряд: вторичных реакций. [3]
Свободная валентность очень активна и может вызвать ряд вторичных реакций. [4]
Свободная валентность может мигрировать в радикале, при этом радикал принимает другую структуру с сохранением свободной валентности. [5]
Свободная валентность характеризует способность атома в молекуле реагировать с нейтральными атомами и свободными радикалами. Эта характеристика обозначается стрелкой, около которой указывается ее значение. [6]
Свободная валентность в классической формуле обозначается точкой над атомом. [7]
Свободные валентности на поверхности кристалла должны играть весьма важную роль при химической адсорбции и при реакциях, протекающих на поверхности. Ори их помощи разрываются валентные связи в молекулах в момент адсорбции, в результате чего молекулы в адсорбированном состоянии оказываются реакционноснособными. Здесь собственно речь идет о роли свободных электронов и дырок на - поверхности кристалла. [8]
Свободные валентности на поверхности кристалла должны играть весьма важную роль при химической адсорбции и при реакциях, протекающих на поверхности. При их помощи разрываются валентные связи в молекулах в момент адсорбции, в результате чего молекулы в адсорбированном состоянии оказываются реакциошшспособными. Здесь речь идет о роли свободных электронов и дырок на поверхности кристалла. Эти электроны и дырки выполняют функции свободных валентностей, как это было отмечено выше. Когда мы товорим о свободных электронах и дырках как о свободных положительных и отрицательных валентностях, мы всего лишь переходим с языка теории полупроводников на язык, более удобный для описания химических процессов. [9]
Свободные валентности такой экситонной природы могут играть роль в полупроводниках, в состав которых в качестве одной из компонент входит переходной металл, обладающий незаполненной или легко освобождаемой внутренней электронной оболочкой. Этим, быть может, обусловлены некоторые специфические каталитические свойства таких полупроводников. Однако роль френкелевских экситонов в явлениях хемосорбции и катализа пока почти не исследована, и мы в дальнейшем совсем не будем рассматривать свободные валентности такого экситонного происхождения. [10]
Свободные валентности не локализованы в решетке, а способны блуждать по кристаллу. Иначе говоря, пока мы имеем дело с идеальной решеткой, свободную валентность равновероятно встретить в любом месте кристалла. [11]
Свободные валентности в кристалле могут образовывать пары, каждая из которых может странствовать в кристалле как некое целое до тех пор, пока она не будет диссоциирована. Такие образования хорошо известны в теории твердого тела. Пара разноименных валентностей в ионном кристалле ( электрон дырка, связанные кулоновским взаимодействием) представляет собой экситон Мотта. Пара одноименных валентностей ( электрон электрон или дырка дырка, связанные обменным взаимодействием) представляет собой так называемый дублон. [12]
Свободные валентности могут первоначально возникать не в том месте, где они способны вызвать конденсацию, так как сло-бодная валентность способна к миграции. [13]
Свободная валентность, блуждающая по кристаллу, может вызвать разрыв валентной связи внутри адсорбирующейся молекулы по механизму, аналогичному механизму взаимодействия радикала с молекулой. [14]
Свободные валентности могут существовать на поверхности твердого тела в результате ненасыщенности связей, но могут и появиться на поверхности кристалла. Всякий ионный кристалл содержит на поверхности и в объеме некоторое количество свободных электронов и свободных дырок. Эти электроны или дырки могут странствовать по кристаллу. Свободный электрон может рассматриваться как положительная валентность, дырка - как свободная отрицательная валентность. [15]