Диссоциативное прилипание
Cтраница 1
 |
Зависимость полного и парциальных сечений ионизации молекулы азота.| Припорогопый участок сечения ионизации личных колебательных температурах. Tvn 300 К. г - Го 1Э4 К. [1] |
Диссоциативное прилипание - процесс специфический и наблюдается не для всех молекул. [2]
Процессы диссоциативного прилипания могут иметь место при наличии смеси паров с молекулами воздуха. [3]
 |
Коэффициент радиационно-столкновитель-ной рекомбинации при различной температуре для различных газов. [4] |
Константа скорости диссоциативного прилипания (18.15) является функцией средней энергии электронов в газе. Константа скорости процесса (18.16) измеряется в см3 / с, однако зависит от давления и состава газовой смеси. Константа скорости тройного прилипания, см6 / с, зависит от температуры и состава газа. [5]
 |
Зависимость сечения диссоциативного прилипания электронов к молекуле N20 от температуры газа - мишени. [6] |
Следует отметить, что изменения сечений диссоциативного прилипания электронов к молекулам, вызываемые изменением колебательной температуры молекулы-мишени, должны сопровождаться соответствующими изменениями сечений колебательного возбуждения этих молекул. [7]
Ассоциативный отрыв электрона является процессом, обратным диссоциативному прилипанию. Константы скоростей процессов ассоциативного отрыва электронов, идущих с выделением энергии, могут достигать больших величин. [9]
Среди р-ций, протекающих в неравновесной плазме, наиб, распространены диссоциативная ионизация молекул, диссоциация через электронно-возбужденные состояния, диссоциативное прилипание электронов к молекулам, ступенчатая диссоциация электронным ударом, диссоциативная рекомбинация при столкновениях мол. Часто наиб, интерес представляют именно гетерог. И без того нелегкая задача анализа кинетики и механизмов хим. р-ций осложняется тем, что, как правило, энергетич. При проведении хим. р-ций в условиях неравновесной плазмы собственно реактор и генератор плазмы в большинстве практически интересных случаев совмещены. Это требует учета влияния электромагн. Протекание р-ций в условиях неравновесной плазмы описывается неравновесной химической кинетикой. [10]
 |
Расчетные скорости распространения плоской волны ионизации в ксеноне при атмосферном давлении. [11] |
Нагрев среды и образование высокотемпературного парогазового ореола в окрестности частицы также способствует процессу развития электронной лавины за счет уменьшения потерь электронов на диссоциативное прилипание к молекулам воздуха и затрат энергии на столкновительное возбуждение низкорасположенных уровней колебательно-вращательных переходов молекул. [12]
Поскольку вероятность диссоциативного распада отрицательного иона может существенно зависеть от номера колебательного уровня отрицательного иона ( заметим, что она равна нулю, если энергия электронов меньше энергии диссоциации через образование отрицательного иона), изменения абсолютной величины сечения при этом также могут быть велики. Например, величина первого пика диссоциативного прилипания N2O ( рис. 35) возрастает на четыре порядка величины при увеличении температуры всего с 300 до 1000 К. Такой рост сечения объясняется возбуждением колебаний изгиба молекулы-мишени. В этом случае молекула-мишень является линейной, а отрицательный нон, ответственный за появление этого пика, изогнут. Возбуждение колебаний, приводящих к изгибу молекулы-мишени, увеличивает, согласно принципу Франка - Кондона, сечение процесса. Второй пик сечения диссоциативного прилипания N2O ( рис. 35), а также все пики для СО2 меняются значительно слабее, поскольку все соответствующие им состояния отрицательных ионов линейны, так же как и все молекулы-мишени. [13]
Важную роль, особенно в плазме электроотрицательных газов, играют процессы прилипания электрона к атому или молекуле, в результате чего образуется отрицат. Хотя процессы прилипания электрона не изменяют число заряж. Процесс 10 - трехчастичное прилипание электрона к атому, процесс И - диссоциативное прилипание электрона к молекуле, процесс 12 - фотоприлипание. [14]
 |
Схема вероятного расположения кривых потенциальной энергии, иллюстрирующая процесс захвата электронов молекулами SFg. [15] |
Страницы: 1 2