Приложение - прямое напряжение
Cтраница 1
Приложение прямого напряжения с крутым фронтом может вызвать включение тиристора через силовую цепь при напряжении, меньшем допустимого в нормальном режиме. Это в большинстве случаев ведет к повреждению прибора, так как начальная площадь включенного состояния структуры в данном случае мала и при крутом нарастании тока плотность тока достигает недопустимых значений, вызывая перегрев и повреждение структуры. [1]
 |
Потенциальные диаграммы p - n - перехода при прямом ( а и обратном ( б смещениях. [2] |
В случае приложения прямого напряжения высота потенциального барьера уменьшается и рекомбинационные токи 1пг и 1рГ значительно возрастают. Токи же fng и Ipg практически не изменяются. [3]
Поэтому при приложении прямого напряжения будет преобладать ин-жекция электронов, даже если р-область имеет одинаковую ( а иногда и большую) концентрацию примесей что и п-об-ласть. Таким образом, можно получить коэффициент ин-жекции, близкий к единице ( т.е. одностороннюю инжек-цию), если база ( в данном случае р-область) легирована сильнее эмиттера. Этим гетеропереход принципиально отличается от гомоперехода. [4]
 |
Изменение высоты барьера при подаче на р-п переход прямого ( а и обратного ( б смещения. [5] |
Таким образом, приложение прямого напряжения уменьшает и ширину потенциального барьера, а при Дф U последняя становится равной нулю. [6]
 |
Схема профиля зоны при условии короткого замыкания. [7] |
При рабочих условиях приложение прямого напряжения V уменьшает потенциал на каждом переходе приблизительно на 0 5 V. [8]
Этот параметр характеризует вентильные свойства тиристора при приложении прямого напряжения и служит для определения потерь в прямом направлении в закрытом состоянии. [9]
Если по окончании импульса прямого тока температура кристалла к моменту приложения прямого напряжения не успевает снизиться до величины ТПДоп, то тиристор теряет работоспособность, так как перестает выключаться. [10]
Это приводит к снижению внутреннего потенциального барьера в фотодиоде ( аналогично приложению прямого напряжения в обычном диоде); уровни Ферми в структуре по обе стороны от р-п перехода уже не совпадают, а смещаются относительно друг друга. [11]
 |
Структура симметричного тиристора ( а и его схематическое изображение ( б.| Вольт-амперная характеристика симистора. [12] |
После окончания времени восстановления гобв ток в тиристоре достигает нулевого значения, однако он не выдерживает приложения прямого напряжения. [13]
Метод затухания напряжения холостого хода связан с инжекцией избыточных неосновных носителей заряда в базовую область1 прибора с р-ъ - переходом при приложении прямого напряжения смещения или при фотогенерации и наблюдением пропесса затухания Voc после резкого прекращения действия источника носителей. Метод позволяет определять достаточно малые значения времени жизни носителей ( т 1 ( Г7 с), и его преимущество состоит в том, что измерения проводятся в условиях, близких к реальным условиям эксплуатации элементов. С его помощью при инжекции носителей заряда под действием импульса прямого напряжения смещения было измерено [ Davies, 1963 ] их время жизни в слабо легированном z - слое р - i - - структуры в условиях низкого и высокого уровней инжекции. Voc при инжекции носителей в режиме прямого напряжения смещения и при их возбуждении светом со значениями г, найденными методом наведения тока электронным пучком ( см. 1.6.5), показало, что для кремниевых солнечных элементов наиболее достоверные результаты могут быть получены при генерации носителей светом. [14]
 |
Вольт-амперная хар-ка туннельного диода.| ЕП - уровень Ферми. Ev - граница валентной граница зоны проводимости. [15] |
Страницы: 1 2