Приложение - прямое напряжение
Cтраница 2
ДИОД ТУННЕЛЬНЫЙ ( tunnel diode; diode tunnel, diode a effet tunnel; Tunneldiode) - ПИ диод с р-л-переходом, области к-рого вырождены ( см. Полупроводник вырожденный), в связи с чем при приложении прямого напряжения осуществляется туннельный переход электронов из п - в / ( - область. Прямая ветвь вольт-амперной хар-ки имеет участок отрицат. Изобретен в 1958 японским ученым Лео Изаки. [16]
 |
Вольт-амперная хар-ка туннельного диода. [17] |
ДИОД ТУННЕЛЬНЫЙ ( tunnel diode; diode tunnel, diode a et fet tunnel; Turmeldiode) - ПП диод с / j - л-переходом, области к-рого вырождены ( см. Полупроводник вырожденный); в сня: ш с чем при приложении прямого напряжения осуществляется туннельный переход электронов из л - в / ( - область. Прямая ветвь вольт-амперной хар-ки имеет участок отрицат. Изобретен в 1958 японским ученым Лео Изаки. [18]
 |
Принципиальная схема установки для измерения времени. [19] |
Тре-тий-импульс подается на блок повторного прямого напряжения. Изменяя фазу третьего импульса относительно двух первых, можно плавно регулировать момент приложения прямого напряжения относительно начала процесса выключения. [20]
 |
Нарушение теплостойкости тиристора при приложении прямого напряжения. [21] |
В принципе процесс обратим, и при остывании переход восстанавливается и приобретает вновь свои свойства. В условиях эксплуатации такой пробой р-п перехода чаще всего приводит к разрушению структуры. На рис. 7.27 иллюстрируется случай, когда к моменту приложения повторного прямого напряжения температура центрального перехода тиристора достигает Т р и этот переход не успевает восстановить запирающую способность в прямом направлении. [22]
Конденсатор, включенный параллельно входной цепи тиристора, снижает его чувствительность к повышенным значениям duldt и повышает устойчивость к помехам в силовой цепи или в цепи управления. При этом чувствительность по постоянному току не изменяется. Однако такой конденсатор может нар ушить условия коммутации, так как накопленный в нем заряд при уменьшении анодного тока до нуля может вызвать включение тиристора сразу после приложения прямого напряжения. [23]
Рассмотренные выше в настоящем разделе эффекты затрагивают только одномерную модель транзистора, когда концентрация носителей тока изменяется только в направлении, перпендикулярном плоскости р-п переходов. Эта модель не позволяет изучить один из важных эффектов в мощных транзисторах - изменение плотности тока эмиттера через р-п переход в зависимости от координаты. Физическую сущность этого процесса рассмотрим с помощью модели, представленной на рис. 4.12, а, которая отражает конструктивные особенности присоединения базового контакта к базовой области n - типа. При приложении прямого напряжения И ЭБ между эмиттером и базой через змиттерный переход начинает протекать ток. При этом условия для протекания тока на участке б у края эмиттера и на участке в, удаленном от края эмиттера, различны. В результате плотность базового тока и соответственно тока инжекции эмиттерного перехода убывает в направлении Ох. [24]
Так как обычно тонкая база pi легируется значительно сильнее, чем высокоомаая, широкая база п2, то уход электронов в р-слой ( незначителен, и исчезновение избыточного заряда в базе п2 происходит в основном за счет рекомби-ации. Поскольку этот заряд существенно меньше, чем в базе п2, он исчезает на ( начальном этапе процесса выключения. Таким ( образом, время выключения тиристора определяется в основ-яом процессом рекомбинации избыточных носителей заряда в базе 2 и рав. QKp, при которой приложение прямого напряжения не переводит прибор во включенное состояние. [25]
Схема замещения содержит резистор Гб, который учитывает влияние объемного ( омического) сопротивления базы и зависит от конфигурации и материала базы. Влияние эмиттерного тока на коллекторный в схеме замещения учитывается генератором тока а / э; С, Ск - эквивалентные емкости эмиттерного и коллекторного переходов. Сущность этого эффекта заключается в том, что толщина р - n - перехода не является постоянной величиной и в соответствии с выражениями (4.7), (4.8) зависит от приложенного к нему напряжения. При приложении к р - п-перехо-ду обратного напряжения его толщина увеличивается, а при приложении прямого напряжения уменьшается. Это явление называется эффектом модуляции толщины базы, или эффектом Эрли. [26]
 |
Вольт-амперные характеристики диода. [27] |
Рассмотрим простейшие схемы непрерывных функциональных преобразователей, названных ограничителями. В качестве допущения будем считать, что вольт-амперная характеристика диода аппроксимируется характеристикой идеального диода, который представляет собой ключ, управляемый напряжением и пропускающий ток только в прямом направлении. Сопротивление его мгновенно изменяется от нуля до бесконечности, как только реверсируется приложенное напряжение. На рис. 1.15 приведены вольт-амперные характеристики идеального и реальных германиевого и кремниевого диодов, отражающие существенную нелинейность реальных элементов. Ближе к идеальному диоду является кремниевый. Его характеристика при приложении прямого напряжения U достаточно точно описывается экспонентой / пр / обр [ ехр ( и / фг) - 1 ] где фт О. [28]
Страницы: 1 2