Приложение - поле
Cтраница 1
Приложение поля к участку упругой ( эластичной) среды - эластомера приводит к изменению его толщины, В качестве эластомера берут тонкий слой силиконовой резины или подобных ей материалов; с одной стороны слоя имеется сплошной электрод, а на другой стороне на каком-либо участке поверхности создается электрический заряд. Возможен изгиб новерх - ности эластомера под действием электрического напряжения порядка нескольких сот вольт на глубину в доли К за времена порядка долей и единиц секунд. [1]
Приложение поля в противоположном направлении при малых его значениях незначительно снижает поляризацию, что свидетельствует о все еще сильной степени монодоменности и малой роли доменных процессов. Однако при поле, близком к коэрцитивному ( поле OF), поляризация резко падает, проходит через нуль и, изменив знак, достигает больших значений. Это означает, что при полях, близких к коэрцитивному, идет интенсивная переполяризация доменов: измерение их знака поляризации на противоположный. Дальнейшее повышение поля после достижения вновь приводит только к линейной связи между Р и Е, доменные процессы здесь также отсутствуют. Понижение поля от значения, соответствующего точке G, повторяет процесс, рассмотренный на участке BF; в точке В гисте-резисный цикл заканчивается. При следующем периоде поля процесс поляризации идет по рассмотренному циклу. Так как процесс переполяризации зависит от напряженности поля и времени его приложения, коэрцитивное поле ЕС также будет зависеть и от напряженности, и от частоты поля. Общая закономерность зависимости Ес от частоты должна состоять ( при одном и том же амплитудном значении переменного тока) в повышении коэрцитивного поля с ростом частоты. К повышению Ес приводит также и повышение напряженности поля, так как в полях высокой напряженности за каждый полуцикл совершается более полная переполяризация кристалла, что затрудняет зарождение новых доменов при следующем полуцикле. [2]
Приложение поля, снижающего положение уровня Ферми, к поверхности, на которой имеются активные центры адсорбции, ускоряет адсорбцию газа - донора, а приложение поля, повышающего уровень Ферми, ускоряет адсорбцию газа - акцептора в соответствии с положениями электронной теории. И в этом случае хемосорбция в первую очередь определяется наличием заряженных дефектов, служащих центрами адсорбции газов в заряженной форме. Для адсорбции кислорода активны дефекты, образующие акцепторные уровни, для адсорбции метанола - дефекты, образующие донорные уровни. [3]
 |
Схематическое изображение мономера аламетицина ( а и его ассоциация в отсутствие ( б и в присутствии ( в внешнего электрического поля ( флип - флоп и включение канала под действием поля. [4] |
После приложения поля достаточной величины мономеры, ориентированные против поля, вынуждены переориентироваться. В результате расталкивания одинаково направленных диполей образуется пора достаточно большого диаметра. [5]
При приложении поля в пропускном направлении ( U 0) высота барьера р ( 0) - - ро - eU уменьшается и поток электронов из полупроводника в металл резко возрастает. При запорном напряжении ( U - 0) высота барьера увеличивается и поток электронов из полупроводника уменьшается, а при - eU kT практически весь ток равен току электронов из металла и не зависит от приложенного напряжения. [6]
При приложении поля в положительном направлении ( С7 0) высота потенциального барьера уменьшается и электроны из тг-области переходят в р-область, а дырки - в обратном направлении и концентрация неосновных носителей вблизи р - тг-перехода резко возрастает. Заряд избыточных носителей быстро компенсируется притоком основных носителей, концентрация которых увеличивается на ту же величину. [7]
При приложении поля в обратном направлении высота барьера увеличивается, что препятствует переходу электронов из n - области и дырок из р-области, концентрация неосновных носителей вблизи р - n - перехода уменьшается и генерация в этой области начинает преобладать над рекомбинацией. Дырки, создаваемые теплом в n - области, достигают р - / г-перехода и уходят в р-об-ласть; аналогично, создаваемые в - области электроны переходят в - область, так как электрическое поле в барьере способствует таким переходам. При этом ток определяется скоростью генерации носителей вблизи р - п-пе-рехода. Поэтому при увеличении запорного напряжения обратный ток стремится к насыщению и при - eU kT перестает зависеть от приложенного напряжения. При этом выражение (21.1) оказывается несправедливым, так как условие 1 / а / перестает выполняться. [8]
 |
Вольхамперные характеристики контакта металл - полупроводник. [9] |
При приложении поля в пропускном направлении высота барьера р ( 0) ср0 - gV уменьшается и поток электронов из полупроводника в металл резко возрастает. При запорном напряжении высота барьера увеличивается и поток электронов из полупроводника уменьшается, и при - V kT практически весь ток равен току электронов из металл а и не зависит от приложенного напряжения. [10]
При приложении сдвигового поля ( в процессе течения), а также при удалении влаги происходит преимущественное образование складчатых 3-структур. [11]
Правда, приложение поля достаточно большой величины может вызвать переход электрона из заполненной зоны в незаполненную, и будет наблюдаться так называемый электрический пробой изолятора. [12]
 |
Дихроичные красители. [13] |
Поворот молекул при приложении поля по мере его увеличения сокращает области с закрученной структурой, так что при некотором напряжении U n условие Могена перестает выполняться и ячейка теряет оптическую активность: в скрещенных поляроидах интенсивность проходящего света резко падает, а в параллельных - возрастает. [14]
 |
Влияние внешнего электрического поля на фазовый переход, в сегнетоэлектриках, испытывающих переход II ( а и I ( б рода. [15] |
Страницы: 1 2 3 4