Приложение - поле
Cтраница 2
Это означает, что приложение поля понижает температуру фазового перехода антисегиетоэлектрик - сегнето-электрик в том случае, когда сегнетоэлектрическая фаза находится при более высокой температуре. Если же для антисегнетоэлектрика высокотемпературная модификация является параэлектрической, то рассуждения о характере смещения точки Кюри не являются столь очевидными. [16]
Таким образом, при приложении поля соответствующей полярности переходные ( но не стационарные) токи в течение некоторого времени способны обеспечить разрядку части центров памяти. Существенное влияние туннельных процессов на рассматриваемые явления подтверждается сопоставлением экспериментальных закономерностей с теоретическими соотношениями. [17]
В общем случае в результате приложения поля исходный эллипсоид показателей может деформироваться так, что его новая главная система координат не будет совпадать со старой. [18]
Эффект Поккельса возникает не только при приложении поля вдоль оптической оси кристалла, но и перпендикулярно ей. [19]
Исчезновение электронов происходит в течение нескольких микросекунд при приложении подходящего поля. Ионы также удаляются при приложении поля, хотя гораздо более медленно из-за их меньшей подвижности. Во многих лампах основные факторы, определяющие время деионизации, связаны с присутствием атомов газа, возбужденных до метастабильного состояния. Электроны не удаляются из этих атомов, а только переходят с одной орбиты на другую. Таким образом, метастабильные атомы не несут заряд и поэтому не могут быть удалены приложением поля. [21]
Если в АЗЭ был записан О, то при приложении продвигающего поля продвижение домена в канале 1 будет запрещено полем верхушки домена канала 3, а продвижение домена в канале 3 - доменом канала 4; в результате на выход АЗЭ ни один из доменов не пройдет. В случае записи в АЗЭ 1 продвижение домена по каналу 3 будет запрещено доменом канала 2, в итоге домен в канале 1 получит возможность пройти на выход АЗЭ, и в выходной шине появится импульс напряжения, свидетельствующий о несовпадении кодов. [22]
Обеднение или обогащение носителями тока полупроводника с анейтральным контактом при приложении поля связано с тем, что соотношение между электронной и дырочной компонентами тока в глубине полупроводника и в районе контакта может быть неодинаковым. Тогда очевидно, что протекание тока должно приводить к изменению концентрации носителей в объеме полупроводника. [23]
Соотношение (4.8) показывает, что подвижность, количественно описывающая отклик частицы жидкости на приложение поля, определяется корреляциями скоростей во времени, которые являются свойством жидкости, не зависящим от наличия поля. Соотношение (4.8) является фундаментальным следствием того Лакта, что как фрикционные потери при действии п - - ложенной силы, так и флуктуации скоростей в равновесном состоянии определяются одним физическим, процессом - столкно вениями частиц жидкости. [24]
Так как отрицательные электроны гораздо подвижнее, чем положительные ионы, то при приложении поля электроны уходят на положительный электрод ( анод) и столб плазмы между электродами заряжается положительно. После этого для протекания тока нужно, чтобы отрицательный электрод ( катод) испускал в плазму электроны. Испускание электронов твердым телом называют эмиссией. Такой разряд, поддерживаемый внешними средствами, носит название несамостоятельного. Если напряжение между электродами достаточно велико, то сам разряд без всяких вспомогательных средств обеспечивает электронную эмиссию с катода. Этот вид разряда называют самостоятельным. Механизм эмиссии в нем может быть различным. В плотном газе при очень высоких напряжениях катод просто разогревается ударяющимися о него газовыми ионами. В этом случае эмиссия термическая, как и в несамостоятельном разряде с горячим катодом. В разреженном газе при не очень высоких напряжениях возможны различные формы холодного, или тлеющего, разряда. [25]
В этой главе мы пренебрегаем наличием тепловых и созданных светом носителей, существующих до приложения поля, и рассматриваем только вопрос о поведении токов, ограниченных объемным зарядом, в реальном нзолятопе. Взаимодействие между токами, ограниченными объемным зарядом, и омическими токами рассматривается в гл. Хотя изложение ведется в применении к электронным токам, все выводы справедливы и для дырочных токов. [26]
С, б) - 93 С, в) - 170 С после приложения поля при 170 С напряженностью 2x10 в / см на 20 мин. [27]
 |
Поляризация полярного диэлектрика. [28] |
Если в отсутствие внешнего поля Е молекулярные диполи ориентированы в пространстве хаотично, то после приложения поля происходит некоторая ориентация молекулярных диполей. Очевидно, что степень выраженности этой ориентации будет возрастать с увеличением напряженности поля Е и падать при увеличении температуры, поскольку хаотическое тепловое движение молекул нарушает их упорядоченное расположение, возникающее в процессе поляризации. [29]
 |
Поляризация полярного диэлектрика. [30] |
Страницы: 1 2 3 4