Применение - кристалл
Cтраница 2
Эффект невзаимного взаимодействия усиливается применением вентильного кристалла, интенсивно поглощающего отраженную волну и практически не создающего затухания для волны, движущейся в прямом направлении. [16]
В последние десятилетия быстро развивается применение кристаллов в полупроводниковой технике ( этот вопрос будет подробнее рассмотрен в гл. [17]
 |
Схема записи изображений в фоторефрактивном преобразователе изображений ( PICOC. [18] |
В работе [8.90] рассмотрен сходный вариант применения фото-рефрактивного кристалла в поперечной геометрии в качестве ПВМС. [19]
Экспериментальное изучение кинетики адсорбции ксенона цеолитом СаА с применением кристаллов цеолита различного размера и пластин различной толщины [8] показало, что внутрикристаллическая диффузия ксенона в цеолите СаА протекает чрезвычайно быстро и не может быть измерена традиционными адсорбционными ЯМР методами. Приведенные в литературе [9] коэффициенты диффузии отнесены к внутрикристаллическим ошибочно. [20]
Кинетика адсорбции изучалась объемным и весовым методами с применением кристаллов цеолита относительно большого размера, синтезированных по методу [1], а также мелкокристаллического порошкообразного цеолита Zeosorb 4A фирмы Wolfen ( ГДР), из которого прессовались пластины размером 0 9x1 8 см различной толщины. В некоторые из пластин при прессовании были введены микротермопары, с помощью которых измерялось изменение температуры адсорбента, вызванное выделением теплоты адсорбции. [21]
Выходной величиной является температура чувствительного элемента, который может изготовляться с применением кристаллов ионной соли или ее водного насыщенного раствора. [22]
Сборник рассчитан на научных работников и инженеров, работающих в области получения, исследования и применения кристаллов полупроводников. Сборник полезен также в качестве учебного пособия для студентов и аспирантов соответствующего профиля. [23]
Если вновь в качестве примера выбрать удвоение частоты излучения не-одимового лазера, то из условия (8.19) следует, что вводить ограничение на AAi при применении кристалла KDP не требуется ( при / 2 см имеем AAi 13 5 нм), тогда как при применении кристалла LiNbO3 толщиной 1 2 см необходимо, чтобы AAi Д35 нм. Для импульса с частотно-ограниченным спектром это соответствует требованию ть4 пс. Поэтому несмотря на то, что кристаллы LiNbO3 и LiIO3 обеспечивают большие коэффициенты нелинейного преобразования, для преобразования частоты ультракоротких импульсов предпочтительнее применять кристаллы KDP. Кроме того, здесь начинает проявляться еще один эффект, снижающий эффективность преобразования. Вследствие различия групповых скоростей входящие в кристалл одновременно и перекрывающиеся при 2 0 импульсы с длинами волн AI и А2 по мере прохождения через кристалл начинают расходиться. Один из импульсов обгоняет другой. [24]
В книге излагаются основы классической кристаллографии и кристаллохимии, а также вопросы широко развившейся за последние годы кристаллофизики, технической кристаллографии, приводятся инженерные методы расчета свойств кристаллов, описываются новые кристаллические материалы в подробно рассматривается применение кристаллов в новой технике. [25]
Если вновь в качестве примера выбрать удвоение частоты излучения не-одимового лазера, то из условия (8.19) следует, что вводить ограничение на AAi при применении кристалла KDP не требуется ( при / 2 см имеем AAi 13 5 нм), тогда как при применении кристалла LiNbO3 толщиной 1 2 см необходимо, чтобы AAi Д35 нм. Для импульса с частотно-ограниченным спектром это соответствует требованию ть4 пс. Поэтому несмотря на то, что кристаллы LiNbO3 и LiIO3 обеспечивают большие коэффициенты нелинейного преобразования, для преобразования частоты ультракоротких импульсов предпочтительнее применять кристаллы KDP. Кроме того, здесь начинает проявляться еще один эффект, снижающий эффективность преобразования. Вследствие различия групповых скоростей входящие в кристалл одновременно и перекрывающиеся при 2 0 импульсы с длинами волн AI и А2 по мере прохождения через кристалл начинают расходиться. Один из импульсов обгоняет другой. [26]
Применение кристаллов, ориентированных по кристаллографической плоскости ( 111), обеспечивает ровный фронт вплав-ления или диффузии параллельно поверхности кристалла при изготовлении электронно-дырочных переходов, так как плоскость ( 111) имеет наиболее плотную упаковку атомов. Поэтому слитки монокристаллов германия и кремния обычно ориентируют по кристаллографической плоскости ( 111), а затем выполняют ориентированную резку монокристаллов на пластины. [27]
Было замечено, что интенсивность отражения при больших углах быстро падает; при углах выше 120 ( 26) она очень мала. Применение кристалла для длин волн много больших величины d нежелательно. При малых углах установок с плоским кристаллом кристалл должен быть достаточно длинным, чтобы все излучение, выходящее из коллиматора, попало на кристалл. [28]
Как известно, эффективность датчика определяется величиной энергии, поглощенной в нем. Применение кристалла NaJ, имеющего плотность 3 67 г / см3, обеспечивает высокое значение эффективности детектора излучения в данном случае. [29]
Если данные молекулы не могут проникать в эти отверстия, то пористый кристалл ведет себя по отношению к ним как адсорбент структурного типа I - непористый. Примеры применения кристаллов цеолита NaA как непористого адсорбента по отношению к углеводородам были рассмотрены выше ( см. стр. [30]
Страницы: 1 2 3 4