Применение - кристалл
Cтраница 3
Высокая плотность размещения элементов в кристалле затрудняет изготовление цепей подвода мощности питания и внутриэлементных соединений на основе техники многослойного монтажа. Действительно, применение кристаллов со 100 электронными элементами, потребляющими мощность 30 мВт при напряжении питания 3 В требует подвода тока величиной 1 А. При этом величина токоведущей дорожки должна иметь значительные размеры. [31]
 |
Расположение жидкой пробы на сцинтилляционном счетчике. [32] |
Регистрация интенсивности проб пара и котловой воды газоразрядными счетчиками, а также описанное выше устройство для регистрации бета-излучения с применением сцинтилля-ционных счетчиков требуют несложной, но трудоемкой подготовки проб высушиванием или осаждением. Вместе с тем применение кристаллов специально приготовленной формы позволяет избежать больших затрат времени на подготовку пробы и сделать контроль более оперативным. Поскольку проба со всех сторон окружена кристаллом, то форма ее и размеры, а главное, распределение радиоактивности в образце и на стенках пробирки не оказывают существенного влияния на результаты измерений. [33]
Данная глава посвящена в основном кристаллическим решеткам и свойствам симметрии кристаллов и молекул, а также экспериментальным методам определения их структуры. С разнообразными областями применения кристаллов в науке и технике, с интересными экспериментальными методами исследования их свойств читатель познакомится из других курсов. [34]
Данная глава посвящена в основном кристаллическим решеткам и свойствам симметрии кристаллов и молекул, а также экспериментальным методам определения их структуры. С разнообразными областями применения кристаллов в науке п технике, с интересными экспериментальными методами исследования их свойств читатель познакомится из других курсов. [35]
Обсужден механизм разделения смесей при применении хидких кристаллов в качестве НФ. [36]
В промышленности и исследовательских лабораториях применяется множество других методов выращивания кристаллов. Техника выращивания кристаллов непрерывно совершенствуется, по мере того как быстро растет и ширится применение кристаллов. [37]
 |
Кубическая решетка.| Дифракция на линейной решетке. [38] |
Однако наиболее простой и практически наиболее важный способ получения дифракции рентгеновских лучей основан на применении кристалла в качестве дифракционной решетки. [39]
Эта книга является попыткой создания учебника инженерной, технической кристаллографии и кристаллофизики, связанной с расширяющимся применением кристаллов в технике. За последние два-три десятка лет кристаллография переживает подлинную революцию, ломку старых представлений и бурное рождение и развитие новых областей применения кристаллов и кристаллографических методов. [40]
Происхождение униполярной проводимости контактных детекторов объясняется неодинаковой энергией электронов проводимости, приобретаемой ими на длине их свободного пути по обе стороны от наиболее плохо проводящего места контакта или слоя кристалла. Различаются два типа выпрямителей: 1) с несимметричными электродами, 2) с симметричными электродами; в последнем случае необходимо применение кристалла, обладающего особым активным слоем. [41]
Максимальная скорость наступает вблизи хг 0 5, а период спада может быть приближенно описан уравнением первого порядка, хотя этот результат далеко не надежен. Ниже 225 термическое разложение не переходит в детонацию, однако выше 225 большие кристаллы склонны детонировать. Эти результаты были невоспроизводимы вследствие применения кристаллов различной величины и их раскалывания при разложении, однако авторы утверждают, что разложение по экспоненциальному закону происходит до момента детонации. [42]
Если диамагнитный кристалл подвешен на тонкой нити в магнитном поле, то на него будет действовать боковая сила, стремящаяся сместить его в область минимального поля. Кроме того, имеются две пары сил, стремящиеся повернуть кристалл вокруг оси подвеса. Во-первых, пара, обусловленная асимметрией формы кристалла и неоднородностью поля, и, во-вторых, пара, обусловленная магнитной анизотропией. Первый эффект может быть устранен применением кристалла сферической формы или, что легче, применением однородного поля. [43]
Использованные в спектрографе пластинки осторожно выкалывались из большого кристалла, так чтобы грань ( 010) совпадала с плоскостью пластинки. Если при выкалывании тонких пластинок соблюдать известную осторожность и не допускать искривления их поверхности, то они, будучи изогнуты в спектрографе, позволяют получать в фокусе прибора весьма четкие и интенсивные линии. Вид полосы отражения вне фокуса спектрографа оказывается в случае применения кристалла гипса зависящим от кристаллографического направления, по которому происходит изгиб кристалла, и несколько отличен от вида рефлексограмм, полученных от слюды и кварца. Это отличие, во-первых, заключается в том, что на рефлексограммах, полученных от изогнутых кристаллов гипса, наряду с расщеплением полосы отражения наблюдается появление интенсивной вуали, заполняющей пространство между рефлексами, которые часто утрачивают форму штрихов и превращаются в причудливо извивающиеся линии, прорезывающие полосу отражения в разных направлениях. Во-вторых, мультиплет-ная структура полосы отражения от гипса вне фокуса спектрографа наблюдается на расстояниях значительно больших, чем для слюды и кварца. На рис. 15 приведены, для примера, два снимка, полученные на разных расстояниях за фокусом прибора от тонкой ( 0 08 мм) пластинки гипса, изогнутой вокруг двух различных кристаллографических направлений в спектрографе. Качественное отличие этих рефлексограмм от соответствующих снимков, полученных от изогнутых кристаллов слюды, кварца или каменной соли, совершенно очевидно. Можно думать, что особенности вида рефлексограмм от изогнутых кристаллов гипса связаны с возможностью в этих кристаллах значительного исправления атомных плоскостей. Такое предположение хорошо согласуется с наблюдениями кристаллографов [38], которые показали, что плоскость ( 010) в гипсе может искривляться вплоть до приобретения даже винтовой изогнутости. [44]
Полярную асимметрию, которой обладает турмалин, можно вызвать и у некоторых менее асимметричных 1) кристаллов искусственно, путем их деформации, которая искажает кристаллическую решетку и создает электрический момент, пропорциональный деформации. Такие кристаллы называются пьезоэлектрическими. Типичным представителем кристаллов с указанными свойствами является кварц, который был использован Пьером Кюри как пьезокварц для получения электрических зарядов точно известной величины. Конечно, и в этом случае электрические заряды исчезают за определенное конечное время релаксации вследствие недостаточных изолирующих свойств окружающей среды. Еще большее значение имеет применение колеблющегося кристалла кварца, создающего переменное электрическое поле, частота которого совпадает с его собственной механической частотой. [45]
Страницы: 1 2 3 4