Cтраница 1
![]() |
Схемы транзисторных. [1] |
Применение составного транзистора позволяет получить коэффициент усиления каскада по мощности порядка 20 - 30 дб. Обычно каскад, собранный по схеме с общим коллектором, называют эмит-терным повторителем. [2]
![]() |
Выходные каскады усилителей на транзисторах.| Конструкция радиаторов. [3] |
Применение составного транзистора позволяет получить коэффициент усиления каскада по мощности порядка 20 - 30 дб. Обычно каскад, собранный по схеме с общим коллектором, называют эмипгпгерным повторителем. [4]
Применение составного транзистора дает возможность согласовать низкоомную нагрузку с высокоомным С-фильтром. Так как ток транзистора Т ъ мал, то величина сопротивления R будет достаточно большой и величину емкости конденсатора Ci можно значительно уменьшить. [5]
Применение составного транзистора ( рис. 4 - 29, а) в повторителе увеличивает напряжение б б-эл примерно до 1 4 В. [6]
Применение составных транзисторов для схем микромощных повторителей менее эффективно, чем для микромощных усилителей. Хотя повторители на составных транзисторах и позволяют получать заданные входные сопротивления при гменьших, чем в обычных микромощных эмиттерных повторителях, сопротивлениях Ra, максимально возможное входное сопротивление у них оказывается меньшим, чем у обычных эмиттерных повторителей. Это определяется уменьшением эквивалентного сопротивления коллекторного перехода у составного транзистора по сравнению с сопротивлением коллекторного перехода эмиттерного повторителя на одном транзисторе. [7]
Кроме того, применение составных транзисторов позволяет при помощи маломощных УПТ управлять мощными регулирующими транзисторами. [8]
![]() |
Схема интегрального операционного усилителя 153УД6. [9] |
ИМС) достигнуто благодаря применению составных транзисторов, повышающих коэффициент передачи тока базы торцевых p - n - p - транзисторов ( Рсос w 100), высокоомных резисторов ( в виде пинч-резисторов R2, Re, RI, RW) и МДП-структуры на Тд, также используемой в качестве высокоомного резистора. На входах усилителей 153УД2, 153УД6 включены эмит-терные повторители на транзисторах TI и TI, выходной ток которых поступает на входы токовых повторителей на Тз и Гф В коллекторные цепи повторителей тока включены транзисторные структуры Гц и Т12 ( совместно с Гю) вместо высокоомных резисторов. Использование этих структур в качестве активных нагрузок способстнует повышению коэффициента усиления ( достигающего 2000) при сравнительно низковольтном напряжении питания. Последующие каскады ( эмиттерный повторитель на транзисторе Тц и усилитель напряжения на Т15) тоже обеспечивают достаточно большое усиление сигнала. [10]
![]() |
Усилительный каскад на составном тран. [11] |
Однако если необходимо получить значительный выходной ток, то применение составного транзистора оказывается предпочтительнее. Рассмотрим это на примере. [12]
Определить, при каких значениях сопротивления г, шунтирующего стабилизатор тока, применение составного транзистора ( рис. 8 2) дает выигрыш в коэффициенте нелинейности по сравнению с обычным транзистором. [13]
В усилителе К1УТ402 по сравнению с усилителем К1УТ401 увеличено входное сопротивление за счет применения составных транзисторов в первом каскаде. [14]
![]() |
Принципиальная электрическая схема транзисторного реле. [15] |