Применение - составной транзистор
Cтраница 2
Рассмотренное в [2] транзисторное реле устраняет указанный недостаток, но требует применения дополнительного источника напряжения, что в ряде случаев практически неудобно. Кроме того, применение составного транзистора для уменьшения потерь энергии в выключенном состоянии, как описано в [2], не обеспечивает надежного запирания выходного транзистора при повышенной температуре. [16]
Уменьшение мощности, рассеиваемой в сопротивлениях цепи управления, является задачей не менее важной, чем уменьшение мощности, рассеиваемой в транзисторах. Для этого используются два основных метода - уменьшение напряжения питания транзистора Т4 ( рис. 4.8) и применение составных транзисторов. Во всех случаях важно, чтобы коэффициент усиления транзисторов по току был по возможности большим. [17]
Нагрузкой является сопротивление RI, сопротивления R, R2 являются смещающими. Сопротивление RS, определяющее потери в реле в отключенном состоянии ( наряду с потерями в смещающих сопротивлениях), в случае применения составного транзистора Т2 - Г3, как правило, является высокоомпым. [18]
Я) и меньшего вых целесообразно, чтобы R было как можно меньше, для чего согласно выражению ( 30) следует уменьшить величину R6i или увеличить В. Уменьшение величины R61 связано с ростом емкости Сб [ см. выражение ( 2) ], что не всегда желательно, а рост В возможен при применении составных транзисторов. [19]
 |
Принципиальные схемы стабилизации тока. а - простейшая ламповая схема параметрического типа. б - простая ламповая схема компенсационного типа. в - транзисторная схема компенсационного типа. [20] |
На рис. 1 - 39 а показана простейшая схема параметрического стабилизатора тока, построенного на использовании лампы в качестве автоматически управляемого сопротивления. На рис. 1 - 39 6 показана схема простого стабилизатора тока, выполненного по компенсационной схеме, а на рис. 1 - 39 е - транзисторный аналог. Следует заметить, что для получения больших токов и качественного улучшения стабилизации применяются более сложные схемы, содержащие усилители с большим коэффициентом усиления и мощные регулирующие элементы, получаемые в результате параллельного включения и применения составных транзисторов. [21]
Страницы: 1 2