Применение - фотолитография
Cтраница 1
Применение фотолитографии снимает много ограничений в отношении сложности конфигурации элементов тонкопленочной схемы. Этот способ является достаточно высокопроизводительным и создает наилучшие условия для производства резисторов с малыми погрешностями ( 15 % - ный разброс без подгонки резисторов) и высоким выходом годных. Это обусловлено тем, что, во-первых, на подложку наносят сплошные пленки материалов, что создает благоприятные условия для равномерного формирования слоев; во-вторых, когда резистивный слой получен с некоторыми отклонениями от заданного значения удельного сопротивления, можно применять набор компенсирующих фотошаблонов для изготовления резисторов. Последнее совершенно исключено в случае применения свободных и контактных масок; в-третьих, исключение процесса изготовления масок, маскодержателей и процесса совмещения под колпаком вакуумной установки ускоряет и удешевляет изготовление ИМС. Это особенно заметно, когда вместо нескольких масок и соответствующего числа напыления при изготовлении, например, сложных проводников, применяют одно напыление и один фотошаблон для процесса фотолитографии. [1]
Применение двойной фотолитографии в этом случае ограничено растравливанием поверхности подложки при создании рисунка резистивных элементов, в результате чего снижается как адгезия при напылении последующих слоев, так и надежность микросхем в целом. [2]
Для получения переходов малых размеров с применением электронной фотолитографии вместо процессов диффузии может быть использовано ионное легирование. С помощью элионной технологии можно обеспечить весьма малые размеры переходов ( разрешение примерно 0 01 мкм) [26]; при этом может быть достигнута плотность упаковки компонентов на пластине 109 комп. [3]
Технология тонкопленочного метода хорошо управляется, допускает применение фотолитографии. Тонкая пленка фоточувствительного материала ( например, смеси CdSe-ZnSe) осаждается в вакууме на подложке через трафарет. Трафарет задает рисунок фоторезистивного слоя. Затем пленка активируется - прокаливается на воздухе или в аргоне под слоем порошка, содержащего медь и хлор. После активации напыляются алюминиевые электроды и контактные площадки. [4]
При изготовлении МОП-транзисторов используют методы диффузий примесей с применением фотолитографии, эпитаксиального наращивания, а также напыления тонких пленок. Весьма перспективным является применение МОП-транзисторов в микроэлектронике. [5]
 |
Продесе нанесения проводящих соединений. [6] |
На рис. 12.60 в качестве примера показан процесс металлизации алюминием с Применением фотолитографии. Очищенная пластина нагревается до температуры, близкой к температуре эвтектики AI-Si. Эта операция обеспечивает надежное соединение пленки с подложкой. [7]
Фирмы Bunker Ramo и Globe Union [3] для создания соединительных проводников используют метод химического и электролитического избирательного травления с применением фотолитографии. В качестве материалов для проводников применяют медь и хром. В работе [4] исследовалась возможность получения внутрисхемных соединений с помощью серебряно - xpOMOiBbix пленок. [8]
Полупроводниковые биполярные ИС изготовляют на кремниевых монокристаллических пластинах ( диаметром до 100 - 125 мм) методами планарно-эпитаксиальной технологии с применением фотолитографии, локального ионного и диффузионного легирования, различных методов выращивания и осаждения диэлектрических и проводящих слоев. Все элементы полупроводниковой ИС получают одновременно в ходе единого технологического цикла. [10]
Тиристоры малой мощности, а также микромощные, рассчитанные на рабочие токи 100 - 1000 мкА, могут быть изготовлены методами диффузионно-планарной технологии с применением фотолитографии. Движение носителей заряда в составляющем тиристоре р-п - р происходит вдоль поверхности кристалла. Пунктиром показан диффузионный переход - используемый для изоляции структуры от других элементов ИС. [12]
На кремниевой пластине 1 л - типа ( рис. 43) с эпитаксиально выращенным на ней тонким ( несколько микрометров) слоем 2 n - типа локальным диффузионным легированием с применением фотолитографии последовательно изготовляют области базы 4 р-типа и области эмиттера 5 / 7 -типа. Для уменьшения емкости и повышения пробивного напряжения коллекторного р-п-перехода его изготовляют в слабо легированном слое 2 Сильное легирование пластин / необходимо для уменьшения сопротивления коллекторной области. Затем пластину кремния разделяют на отдельные кристаллы. Металлизированный электрод коллектора 9 изготовляют обычно одновременно с монтажом кристалла пайкой в корпусе прибора. [13]
 |
Стадии процесса фотолитографии. [14] |
Важно отметить, что в большинстве случаев предельные характеристики приборов, их качество и перспективы развития определяет именно фотолитография. Только применение фотолитографии позволило создать кремниевые транзисторы с предельной частотой 5 гц, в то время как лучшие германиевые транзисторы имеют предельную частоту 7 гц. [15]
Страницы: 1 2