Применение - фотолитография - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Демократия с элементами диктатуры - все равно что запор с элементами поноса. Законы Мерфи (еще...)

Применение - фотолитография

Cтраница 2


16 Схема установки вакуумного напыления. [16]

Тонкие пленки должны иметь хорошую адгезию с подложкой и другими пленками, равномерность толщины и однородность структуры. Применяется несколько методов нанесения тонких пленок: вакуумное испарение, катодное распыление, электролитическое осаждение с применением фотолитографии и др. Изготовление тонких пленок проводится в сверхчистой среде в вакуумной камере.  [17]

В книге освещены основные проблемы современной фотолитографии и оценены перспективы ее развития. Рассмотрены свойства фоторезистов, процессы образования фоторезистивных покрытий, способы получения фотошаблонов, процессы воспроизведения изображений элементов микросхем на фоторезисте и на подложке, контактная и проекционная фотолитография, применение голографических методов в фотолитографии, электронолитография. Рассмотрено применение фотолитографии при изготовлении интегральных микросхем по тонкопленочной технологии.  [18]

Разрешающая способность метода - это те минимальные размеры, которые позволяет уверенно получать данный метод. Дальнейшее уменьшение размеров линий до 1 мк может быть достигнуто только при применении электронно-оптиче-ческой фотолитографии, где для задубливания фоторезиста используется остросфокусированный электронный луч, перемещающийся по фоторезисту по заданной программе.  [19]

20 Модель об - качестве контактов используют металлические разца для измерения зонды или сплавные контакты малых разме - ЭДС Холла рОВ Применяют также боковые отростки, из. [20]

Образцу и боковым отросткам придают гантелеобразную форму. При этом технология изготовления контактов упрощается, облегчаются операции металлизации и вплавления. Такие контакты не искажают линии тока в образце и за счет большой площади имеют малое сопротивление контакта и более низкий уровень шума. Наличие нескольких боковых отростков позволяет одновременно с ЭДС Холла измерять удельное сопротивление образца. При измерении параметров диффузионных и эпитаксиальных слоев можно использовать стандартную технологию с применением фотолитографии.  [21]



Страницы:      1    2