Cтраница 2
После запирания транзистора начинается стадия восстановления, во время которой конденсаторы моста разряжаются. [16]
Принцияиальная схема задающего и буферного каскадов.| Эквивалентная схема выходного каскада строчной развертки и графики, иллюстрирующие ее работу. [17] |
После запирания транзистора в контуре LC возникает большой импульс напряжения, заряжающий конденсатор контура до максимальной величины за время, равное половине длительности обратного хода луча по горизонтали. [18]
Для запирания транзисторов Т3, Г4, Т5 и Те применено автоматическое смещение. [19]
Для запирания транзисторов Те - Тц необходимо выполнение условия: и ияя ияя ии иш1 ( 0.3 0 5) в. На этом статический расчет схемы заканчивается. [20]
После запирания транзистора начинается процесс восстановления начальных условий в схеме. [21]
После запирания транзистора Т3 начинается процесс формирования прямого хода пилообразного напряжения. На этом этапе транзисторы Tt и Т2 работают в активном режиме. [22]
Для запирания транзистора необходимо выполнить условия: t / ynp MBxmin, f / ynp; 0, где Bxmin - минимальное значение переключаемого напряжения. [23]
После запирания транзистора образуется выброс напряжения в коллекторной цепи, обусловленный спадом тока в обмотке трансформатора. Резистор R2 в базовой цепи применяется для ослабления влияния сопротивления базы на работу схемы. [24]
Схема повышающего импульсного стабилизатора ( а, его эквивалентная схема ( б и графики напряжения и тока в дросселе ( в. [25] |
После запирания транзистора VT избыточная энергия, накопленная в дросселе L, через открытый диод VD поступает в нагрузку, подзаряжая конденсатор фильтра Сф. Этому режиму соответствует переключение ключа S в положение 2, при котором напряжение на дросселе складывается с напряжением источника питания, в результате чего конденсатор фильтра Сф заряжается до напряжения UHEn. [26]
Процесс запирания транзистора также удобно разбить на ряд таких интервалов, в каждом из которых в уравнениях ( 2 - 86) и ( 2 - 87) можно пренебречь теми или иными составляющими токов. [27]
Процесс запирания транзистора характеризуется теми же начальными, условиями, что и при однополярном управлении. [28]
Момент запирания транзистора не исследуется в связи с отсутствием на этом этапе коммутационных выбросов тока через транзистор и диод. [29]
Степень запирания транзистора в различных точках этой области различна. Рассмотрим возможные случаи запирания транзистора. [30]