Запирание - транзистор
Cтраница 3
Условие запирания транзистора (6.4) должно соблюдаться всегда, в том числе и в наихудшем случае. [31]
Степень запирания транзистора в разных точках этой области различна. [32]
Для хорошего запирания транзистора должно быть обеспечено условие 1см 1к0макс поэтому для определения / см следует брать только сумму в последнем выражении. [33]
После лавинного запирания транзистора отрицательное напряжение на конденсаторе поддерживает транзистор в запертом состоянии. Когда напряжение на эмиттере превысит нулевой уровень и повысится до е б, транзистор снова переходит в активный режим и начинается лавинный процесс его включения. В данной схеме в перезарядке конденсатора С участвует не ток / ко, а обратный ток запертого эмиттерного перехода / эо, который при использовании несимметричных биполярных транзисторов в несколько раз меньше, чем / ко. Нестабильность величины / эо в силу малости этого тока меньше сказывается на стабильности зарядного тока. Стабильность частоты колебаний повышается. Другим недостатком является резкий спад вершины выходного импульса блокинг-генератора. [34]
Условие запирания транзистора типа р-п - р - отрицательный потенциал эмиттера - по отношению к базе. [35]
При запирании транзистора Т возникает лавинообразный процесс в элементе / /, и работа распределителя продолжается подобным же образом до последней ячейки. Если последняя ячейка соединена с первой, то распределитель работает в циклическом режиме. Для остановки распределителя к базе транзистора Т прикладывают положительное напряжение, продолжительность которого должна быть больше длительности полного цикла работы распределителя. Изменяя величину общего сопротивления св, можно регулировать длительность импульсов и частоту работы распределителя. [36]
При запирании транзистора Т2 на его коллекторе возникает отрицательный импульс напряжения, передаваемый через конденсатор С4 и сопротивление Ra ( дифференцирующее звено) на группу первых подкатодов. [37]
При запирании транзистора током базы, в 3 - 5 раз меньшим / кн ( кривые 2 и 4), постоянная времени среза при малых Си ( Сн 20 - 30 пФ) несколько больше постоянной при инверсном запирании, что объясняется меньшей скоростью спада тока коллектора при этих значениях емкости нагрузки. Здесь следует иметь в виду, кроме того, что в отдельных случаях срез импульса может затягиваться из-за влияния накопления заряда в теле коллектора некоторых типов транзисторов. [38]
При запирании транзистора его вольтамперная характеристика в общем случае пересекается с нагрузочной в пяти точках. Некоторые из точек пересечения являются устойчивыми. [39]
При запирании транзистора Т1 транзистор ТЗ отперт и конденсатор заряжается по цепи эмиттер - коллектор этого транзистора. [40]
При запирании транзисторов их входные и выходные проводимости уменьшаются, что сужает полосу пропускания усилительных каскадов. Для ослабления указанных нежелательных явлений рекомендуется уменьшать связь транзисторов с входными я выходными контурами и выбирать коэффициент включения контуров на 25 - 30 % меньше оптимального, что, естественно, несколько снижает усиление каскадов. [41]
При запирании транзистора резко падает ток возбуждения и в обмотке возбуждения возникает электродвижущая сила самоиндукции. Ток, вызванный самоиндукцией, замыкается гасящим диодом Дг, вследствие чего гасится перенапряжение на регулирующем элементе. [42]
 |
Временные диаграммы процессов в ТК при отпирании ( а и запирании ( б транзистора. [43] |
При запирании транзистора закон Q ( t) также определяется решением уравнения ( 4 - 58), в котором, однако, следует / ц заменить на / Бс; кроме того, до выхода из насыщения Тр следует заменить на тк. [44]
При запирании транзистора VT2 на катушке реле KL, обладающей индуктивностью, наводится ЭДС самоиндукции, которая, складываясь с напряжением коллекторного питания, может привести к пробою транзистора. Появляющееся перенапряжение открывает диод VD3 и ток реле K. [45]
Страницы: 1 2 3 4