Примесь - постороннее вещество
Cтраница 1
Примеси посторонних веществ и присутствие влаги изменяют температуру плавления. Примеси понижают температуру плавления, расширяют промежуток между температурами начала и конца плавления. Поэтому температуру плавления веществ следует определять после предварительного высушивания1 и перекристаллизации. [1]
Примесь посторонних веществ или разложение вещества при хранении вызывает изменение температуры кипения. [2]
Примеси посторонних веществ и присутствие влаги изменяют температуру плавления. Примеси понижают температуру плавления, расширяют промежуток между-температурами начала и; конца плавления. Поэтому температуру плавления веществ еле - дует определять после предварительного высушивания и перекристаллизации. Если после перекристаллизации температура плав - ления вещества не изменилась, вещество можно считать чистым. [3]
 |
Прибор для определения температуры плавления.| Пробирка для прибора, изображенного на 245. [4] |
Примеси посторонних веществ изменяют температуру плавления данного вещества. Постоянство температуры при плавлении твердого вещества, однако, не всегда является специфическим свойством химически чистого вещества, так как известны такие смеси веществ, взятых в определенном соотношении, которые имеют постоянную температуру плавления. [5]
Примеси посторонних веществ могут захватываться осадком из раствора не только путем адсорбции на поверхности сформировавшихся частиц осадка, но ив процессе его образования, когда в осадок переходят в большем или меньшем количестве такие компоненты, которые сами по себе в данных условиях хорошо растворимы и не должны осаждаться. [6]
 |
Приборы для определения температуры плавления. [7] |
Так как примеси посторонних веществ ( за редкими исключениями) понижают температуру плавления, то в случае неидентичности веществ температура плавления смеси окажется ниже ожидаемой. [8]
Таким образом, примеси посторонних веществ в растворе всегда влияют на форму образующихся кристаллов. Но примесь не обязательно должна быть поверхностно-активной, изменяющей поверхностную энергию граней. Она может образовывать с веществом, формирующим кристалл, промежуточные комплексные соединения, для разрушения которых требуется затрата энергии; может иметь с ним общий нон и тем самым влиять на степень диссоциации и растворимость вещества, а следовательно, н на форму кристалла. [9]
Подобно стенке действуют примеси посторонних веществ, смачиваемых образующейся из пара жидкостью. Этими примесями могут быть пылинки или более мелкие частицы, которые видны только в микроскоп. Одним из факторов, облегчающих возникновение зародышей, являются электрические заряды. Если зарядить каплю жидкости, ее поверхностное натяжение уменьшится. [10]
Если гелий II содержит примесь постороннего вещества ( таковым фактически может являться изотоп DHe), то рл остается отличным от нуля и при абсолютном нуле. [11]
Если в полупроводник добавляется примесь постороннего вещества или в его кристаллической решетке образуются какие-либо дефекты, то возникающая проводимость называется примесной. Если число валентных электронов у примеси выше, чем у основного полупроводника, то образуются дополнительные электроны, участвующие в переносе заряда. [12]
Если гелий II содержит примесь постороннего вещества ( таковым фактически может являться изотоп: Не), то р остается отличным от нуля и при абсолютном нуле. [13]
Если гелий II содержит примесь постороннего вещества ( таковым фактически может являться изотоп - Tie), то р остается отличным от пуля и при абсолютном нуле. [14]
Если в полупроводник добавляется примесь постороннего вещества или в его кристаллической решетке образуются какие-либо дефекты, то возникающая проводимость называется примесной. Атомы такой примеси называются атомами-донорами. Примером может служить германий с примесью фосфора, мышьяка или сурьмы. [15]
Страницы: 1 2 3 4