Cтраница 4
Часто на дифракционной картине имеются отражения кроме тех, которые можно было ожидать у исследуемого вещества. Такие лишние отражения могут возникать в основном благодаря примесям посторонних веществ. Дифракционные методы, вообще говоря, мало чувствительны к небольшим примесям; иногда последние не обнаруживаются даже, когда они присутствуют в количестве 10 % и даже более. Но в электронографии часто обнаруживаются даже совершенно ничтожные примеси. [46]
Смекал [85] и Цвицки [105] пошли дальше, они считали каждую неправильность на поверхности кристаллов активным местом с повышенной силой притяжения и поэтому с большой каталитической активностью. Неправильности, встречающиеся во всех кристаллах, увеличиваются примесями посторонних веществ или увеличением скорости роста кристаллов. Чем быстрее кристаллизуется вещество, тем больше вероятность всзникнсвения таких неправильностей. Высокая температура, при которой происходит рост кристаллов, индуцирует указанный выше вид неправильностей или благоприятствует увеличению числа активных мест. Смекал определил, что число активных мест колеблется между 10 - 3 и 10 - 5 элементов кристалла в зависимости от условий роста кристаллов. [47]
Поверхностная пленка на кристалле в разных местах неодинакова. Ее характер зависит от многих причин и в особенности от примесей посторонних веществ. [48]
Различают лигнин первичный, находящийся в одревесненных клеточных стенках ( природный лигнин) и вторичный - изолированный лигнин. Последний является в значительной степени веществом, измененным в процессе изолирования и загрязненным примесями посторонних веществ. Изменение лигнина выражается в отщеплении метоксильных групп, внутримолекулярной конденсации м в других признаках. [49]