Cтраница 2
![]() |
Диаграмма состояния основное вещество - примесь. [16] |
Существенным недостатком любого метода выращивания кристаллов из расплава является неравномерное распределение примесей п, следовательно, электрических и других свойств по длине кристалла. Причина этого - неодинаковая растворимость примесей в расплаве и в растущем в нем кристалле. Одни примеси растворяются меньше в кристалле, чем в расплаве. Первые примеси понижают точку плавления основного вещества ( рис. V. [17]
![]() |
Диаграмма состояния основное вещество - примесь. [18] |
Существенным недостатком любого метода выращивания кристаллов из расплава является неравномерное распределение примесей и, следовательно, электрических и других свойств по длине кристалла. Причина этого - неодинаковая растворимость примесей в расплаве и в растущем в нем кристалле. Одни примеси растворяются меньше в кристалле, чем в расплаве. Первые примеси понижают точку плавления основного вещества ( рис. V. [19]