Поверхностная примесь
Cтраница 1
Более стойкие поверхностные примеси могут быть физически удалены с поверхности бомбардировкой ионами благородного газа ( напр. Обычно бомбардировка хорошо устраняет примеси, но часто она сопровождается нарушением порядка в расположении поверхностных атомов. Например, примесь углерода или серы можно удалить с поверхности ( 100) оксида никеля путем бомбардировки ионами Аг с энергиями 200 эВ, но поверхность оксида никеля разупорядочивается в ходе бомбардировки. Поверхность может быть снова упорядочена с помощью отжига, но это опять может привести к появлению примеси вследствие диффузии из объема кристалла - так называемая поверхностная сегрегация. Следует эмпирически подбирать такие условия чередования бомбардировки и отжига, которые очищают поверхность и так восстанавливают порядок на ней, чтобы уровень загрязнения примесями оставался минимальным. [1]
Те поверхностные примеси, которые образуют дипольный слой того же знака, что и слой, образованный самими адсорбированными атомами, уменьшают теплоту хемосорбции и вызывают увеличение энергии активации. [2]
Поэтому всякая акцепторная поверхностная примесь должна затруднять адсорбцию любого акцепторного газа и, наоборот, облегчать адсорбцию любого донор-ного газа. Иначе говоря, адсорбционная способность поверхности по отношению к данному газу может быть увеличена или уменьшена в результате примешивания к данному газу другого газа. [3]
Массовая доля поверхностных примесей в хорошо очищенных алмазах незначительна ( табл. 82), однако они существенно изменяют электрокинетические и адсорбционные свойства алмазов. Изменяя качественный и количественный состав поверхностных примесей, можно управлять свойствами поверхности алмазов, в частности варьировать в нужном направлении их гидрофильность и гидрофобность. [4]
 |
Расположение электродов при исследовании поверхностных загрязнений. [5] |
Поскольку концентрации поверхностных примесей незначительны, их анализ проводится на большой площади образца. [6]
 |
Микроэкстракторы. Горбаха ( а, капиллярный ( б, Вазицкого ( в и Кол грей ва ( г. [7] |
Для экстракции поверхностных примесей с тщательно растертой твердой фазы применяют приборы Вазицкого ( рнс. На дне сосуда 2 кипит подогреваемый растворитель. [8]
При трактовке хемосорбированных частиц как поверхностной примеси стирается сколько-нибудь принципиальное различие между хемосорбированными частицами и биографическими структурными дефектами, присутствующими на всякой реальной поверхности. Различие состоит лишь в том, что хемосорбированные частицы способны уходить с поверхности в газовую фазу и приходить из нее на поверхность, в то время как биографические дефекты можно считать прочно связанными с поверхностью и не обменивающимися с газовой фазой. [9]
Среди других комплексообразователей наиболее подробно изучено действие на поверхностные примеси дитизона и ди-этилдитиокарбамата натрия. [10]
Диссоциация экситонов на границе с электродом или на поверхностной примеси может приводить к инжекции положительных или отрицательных носителей заряда в органический кристалл ( см. разд. Измеряя спектральные зависимости квантового выхода фотоионизации, можно определять длины диффузии экситонов ( см. разд. Из выражения (1.7.8.08) следует, что вероятность инжекции носителя в кристалл Ф изменяется пропорционально коэффициенту поглощения света k, если диффузионная длина меньше глубины поглощения света. В экспериментах, представленных на рис. 3.1.6 и 3.1.7, в кристалл преимущественно инжектируются носители какого-либо одного знака. [12]
На положение фотоэлектрической границы существенно влияют имеющиеся на катоде поверхностные примеси. [13]
Причину возникновения перекисей на поверхности благородных металлов усматривают в действии поверхностных примесей. Менее прочно связанные друг с другом поверхностные атомы металла еще более разрыхляются некоторыми примесями. При этом энергия атомизации благородного металла снижается до величины, близкой к теплоте атомизации кислорода, и образуются перекисные соединения. [14]
 |
Зависимость логарифма. [15] |
Страницы: 1 2 3 4