Приращение - коллекторный ток
Cтраница 1
Приращение коллекторного тока вызывает в обмотке шк ЭДС самоиндукции е, за счет чего в обмотке w & наводится ЭДС взаимоиндукции ег отрицательной относительно базы полярности. Процесс уменьшения напряжения на базе и соответствующего возрастания коллекторного и базового токов носит лавинообразный характер и заканчивается насыщением транзистора. В этот момент формируется фронт генерируемого импульса, а так как его длительность мала, то напряжение на конденсаторе практически не успевает измениться. [1]
 |
Идеальный дифференциальный усилительный каскад. [2] |
Приращение коллекторного тока Д / К2 будет иметь положительный знак, а приращение коллекторного тока / / 1 1 - отрицательный. [3]
Оценим ожидаемое приращение коллекторного тока транзистора при максимальной рабочей температуре. [4]
 |
Использование включенного по схеме ОЭ мощности. [5] |
Нелинейность приращений коллекторного тока при увеличении и уменьшении тока базы приводит к нелинейным искажениям. Нелинейные искажения характеризуются появлением колебаний с частотами, которых нет в первоначальном сигнале. [6]
Аид - приращения коллекторного тока и базового напряжения триода, соответствующие двум точкам, произвольно выбранным на динамической характеристике вблизи исходной точки. [7]
Здесь Дгк - приращение коллекторного тока, вызванное температурными или иными ( например, технологическими) отклонениями А / ко б, Да и Аыб. [8]
Таким образом, р равно отношению приращения коллекторного тока к соответствующему приращению базового тока при постоянном коллекторном напряжении. [9]
Абсолютную величину дрейфа в транзисторном каскаде чаще всего выражают приращением коллекторного тока б / к. В § 6 - 2 величина б / к обозначилась через Д / к и была найдена как функция приращений А / к0, Ас / эб и Др. Теперь учтем влияние еще одного параметра, зависящего от температуры, - сопротивления коллекторного перехода. [10]
Приращение коллекторного тока Д / К2 будет иметь положительный знак, а приращение коллекторного тока / / 1 1 - отрицательный. [11]
 |
Структура полевого фототранзистора и схема его включения. [12] |
Сравнивая эти характеристики с выходными вольт-амперными характеристиками обычного транзистора, можно заметить, что приращение коллекторного тока в первом случае происходит за счет увеличения базового фототока от светового потока или от увеличения тока базы во втором случае. [13]
 |
Фазово-амплитудная характеристика фазированного усилителя.| Схема включения плоскостного транзистора типа р-п - р.| Вольт-амперные характеристик плоскостного триода. [14] |
Опыт дает, что в плоскостных транзисторах типов р-п - р и п-р - п приращение коллекторного тока всегда меньше приращения эмиттерного тока. [15]
Страницы: 1 2