Приращение - коллекторный ток
Cтраница 2
На рис. 5.3, б приведена схема замещения каскада 5, изображенного на рис. 5.2. Найдем приращение коллекторного тока. [16]
Для получения временной задержки может быть использован транзистор в любом режиме, однако в нерелейном при малой начальной мощности приращения коллекторного тока незначительны. [17]
Описанный процесс установления температуры и тока наблюдается при любых значениях напряжения источника, однако при малых Е, S, Rnc, / Кбо, а также при больших значениях сопротивления, включенного последовательно с транзистором, приращение коллекторного тока незначительно. При равных значениях мощности ( 4), выделяемой в транзисторе, наибольшее приращение тока коллектора обеспечивается в тех случаях, когда не соблюдается условие тепловой устойчивости транзистора и рабочая точка попадает в область отрицательного сопротивления вольтамперной характеристики. [18]
Стадия регенерации начинается отпиранием транзистора Т2 после чего в течение некоторого времени оказываются открытыми оба транзистора. Поскольку в открытом состоянии входные сопротивления малы, можно считать, что на стадии регенерации приращения коллекторных токов / 1 ( 1 и / Ь2 почти полностью идут через конденсаторы С в базы смежных транзисторов. [19]
 |
Выходные вольт-амперные характеристики фототранзисторов ( Ф [ Ф2Фз. [20] |
Уравнение (9.22) описывает статические выходные вольт-амперные характеристики фототранзистора. Выходные вольт-амперные характеристики фототранзистора при разных значениях светового потока приведены на рис. 9.36. Сравнивая эти характеристики с выходными вольт-амперными характеристиками обычного транзистора, можно заметить, что приращение коллекторного тока в первом случае происходит за счет увеличения базового фототока от светового потока или от увеличения тока базы во втором случае. [21]
С / кв и определяется только концентрацией неосновных носителей в базе и коллекторе. С увеличением тока эмиттера возрастает и ток / к - Поскольку в рассмотренной модели принята независимость величины а от тока / э, равные приращения тока / э ( / э - / о 1 э - / э) вызывают и равные приращения коллекторного тока. [22]
Этот резистор одновременно осуществляет отрицательную обратную связь по напряжению, повышающую входное сопротивление, стойкость и температурную стабильность усилителя. При увеличении по каким-либо причинам коллекторного тока напряжение между коллектором и эмиттером транзистора уменьшается. Соответственно уменьшается и ток смещения через резистор R, что в свою очередь уменьшает приращение коллекторного тока. Ток через резистор RI суммируется из токов, подходящих к точке а через диоды Ц и Д2 в прямом направлении, оба диода отперты. [23]
Мулбтивибратор, как и триггер, не имеет устойчивого состояния с двумя одновременно открытыми триодами. При подаче на схему ( рис. 132) напряжения оба триода одновременно открываются, так как на их базы поступает отрицательное напряжение смещения. Допустим, что приращение коллекторного тока триода Т больше приращения коллекторного тока триода Т2 на Aim - Вследствие этого потенциал коллектора триода Т ( точка А) будет выше потенциала коллектора триода Т2 ( точка Б) на величину AiKiRK. В момент открытия триодов конденсаторы С ] и С2 ( до этого разряженные) не могут мгновенно зарядиться. Поэтому под положительными потенциалами коллекторов будут находиться обкладки конденсаторов GI и С2 как соединенные с коллекторами, так и соединенные с базами триодов Т и Т2, вызывая запирание этих триодов. Однако в отличие от триггерной схемы это состояние мультивибратора является неустойчивым. [24]
Мулбтивибратор, как и триггер, не имеет устойчивого состояния с двумя одновременно открытыми триодами. При подаче на схему ( рис. 132) напряжения оба триода одновременно открываются, так как на их базы поступает отрицательное напряжение смещения. Допустим, что приращение коллекторного тока триода Т больше приращения коллекторного тока триода Т2 на Aim - Вследствие этого потенциал коллектора триода Т ( точка А) будет выше потенциала коллектора триода Т2 ( точка Б) на величину AiKiRK. В момент открытия триодов конденсаторы С ] и С2 ( до этого разряженные) не могут мгновенно зарядиться. Поэтому под положительными потенциалами коллекторов будут находиться обкладки конденсаторов GI и С2 как соединенные с коллекторами, так и соединенные с базами триодов Т и Т2, вызывая запирание этих триодов. Однако в отличие от триггерной схемы это состояние мультивибратора является неустойчивым. [25]
RKI и RX2 - К одной диагонали моста подключен источник питания Ек, а к другой - внешняя нагрузка RH. Если плечи моста симметричны ( транзисторы идентичны, a RKi ЯК2) и UBX 0, то начальные токи покоя транзисторов одинаковы. При этом напряжения на коллекторах [ 7к1 и UK2 относительно заземленной точки схемы также равны, поэтому разность потенциалов между коллекторами ( на нагрузке RH) равна нулю. Однако баланс моста при этом сохраняется и напряжение на нагрузке ( напряжение дрейфа) равно нулю. При наличии входного сигнала ( 17ВХ 0) приращения коллекторных токов, а следовательно, и напряжений на коллекторах будут равны, но противоположны по направлению, что приводит к разбалансу моста и появлению на нагрузке разности потенциалов ( 1 / вых 0), за счет которой в резисторе RH протекает ток усиленного сигнала. [26]
Затягивание фронта объясняется двумя причинами. При подаче на вход транзистора импульса тока избыточные дырки в базе перемещаются к коллектору с разной скоростью. В связи с этим ток коллектора нарастает до своего установившегося значения не мгновенно. Кроме того, на емкости Скэ, шунтирующей сопротивление нагрузки, напряжение мгновенно измениться не может. Поэтому даже при идеальном скачке тока А / к 50А / б потенциал коллектора в момент скачка остается прежним, а напряжение, снимаемое с емкости Скэ, будет равно нулю. В первый момент после подачи входного импульса все приращение коллекторного тока ответвляется в емкость Скэ, заряжая ее. Через сопротивление нагрузки течет лишь незначительная часть тока коллектора. Ток заряда конденсатора Скэ и токи, протекающие через резистор Д и нагрузку RH, изменяются по экспоненциальному закону. Так как С5 Скэ, то можно считать, что за время почти полного заряда конденсатора Скэ разность потенциалов на обкладках конденсатора С практически не изменяется и последний не оказывает влияния на характер изменения выходного сигнала. [27]
Начиная с момента насыщения рост коллекторного тока прекращается. Поэтому внешних изменений токов и напряжений в схеме не происходит. В базе транзистора продолжают накапливаться дырки. Приращения заряда базы перестают компенсироваться соответствующими приращениями тока коллектора. В базе появляются избыточные носители, не связанные с приращениями коллекторного тока. Избыточный заряд, как увидим далее, является причиной, вызывающей дополнительную задержку в изменениях коллекторного тока. [28]
Страницы: 1 2