Присоединение - кристалл
Cтраница 1
Присоединение кристалла с контактной площадкой должно выдерживать критическую величину сдвига кристалла не менее 44 гс. [1]
Присоединение кристалла с помощью таблетки мягкого припоя с высоким содержанием стекла производится при температуре около 300 С. [2]
Для присоединения кристалла широко применяются следующие методы: эвтектическая пайка, пайка мягкими припоями, приклеивание эпоксидным компаундом, токопроводящим или теплопроводным клеем. [3]
Реле времени предназначено для автоматической установки времени выдержки присоединения кристалла к ножке. Время выдержки в реле задается при зарядке конденсатора через резисторы. [4]
Такие корпуса требуют 29 соединительных операций ( одна для присоединения кристалла и по. [5]
При монтаже кристаллов методом эспандера первой операцией сборки является присоединение кристалла к диэлектрической подложке. [6]
Если от генератора не требуется максимальной мощности, то можно ограничиться присоединением кристалла непосредственно к зажимам колебательного контура. [7]
Процесс монтажа кристалла с готовой микросхемой в корпус обычно разбивается на два этапа: присоединение кристалла к корпусу и монтаж межсоединений между контактными площадками кристалла и внешними выводами корпуса. [8]
 |
Столбики, полученные электролитическим осаждением золота на стеклянных подложках с золотой металлизацией. [9] |
Одно из преимуществ монтажа методом перевернутого кристалла заключается в том, что отпадает необходимость проведения операций присоединения кристалла к подложке - они здесь осуществляются непосредственно в процессе контактирования. [10]
 |
Схема управления монтажным модулем. [11] |
Системы машинного зрения и контроля качества совмещают кристалл с колодцем корпуса схемы и оценивают качество эвтектики после присоединения кристалла к корпусу. [12]
 |
Монтаж кристаллов с помощью эспандеров.| Монтаж с помощью балочных выводов из Аи на кристалле. [13] |
В одном из вариантов метода эспандера используется гибкая лента, обеспечивающая механическую опору слабым проводникам в процессе присоединения кристаллов. После присоединения выводов к кристаллу и к подложке эта лента удаляется. [14]
Второе издание переработано и дополнено описанием оборудования для элионной технологии и изготовления корпусов, а также сведениями об оптических и терморегулирующих приборах; кроме того, в книге приведено новое оборудование, предназначенное для шлифовки полупроводников, вакуумного напыления, наращивания эпитаксиальных пленок, присоединения кристаллов и электродных выводов. [15]
Страницы: 1 2