Присутствие - кристалл
Cтраница 3
Кристаллизацию вызывают введением затравки - капли растворителя, замороженной на стеклянной палочке. Этой стеклянной палочкой прикасаются к термометру или мешалке. Присутствие кристаллов сразу же нарушает состояние переохлаждения. [31]
 |
Типовая схема очистки рассола для диафрагменного электролиза. [32] |
В первый реактор подают раствор кальцинированной соды для выделения в осадок солей кальция. Щелочной раствор поступает во второй реактор или, предпочтительно, непосредственно в осветлитель 4 с тем, чтобы хлопья образующегося гидроксида магния не разрушались турбомешалкой. В присутствии кристаллов карбоната кальция хлопьевидные осадки гидроксидов магния и железа осаждаются более эффективно. Из осветлителя рассол поступает на фильтры 5, заполненные песком или антрацитом. Используют также фильтр-прессы ручного, полуавтоматического или автоматического действия, вращающиеся или стационарные. Поскольку нагревание концентрированного рассола улучшает показатели электролитического процесса, очищенный рассол нагревают в теплообменнике 7, повторно дона-сыщают в аппарате 8, используя для этого часть суспензри обратной соли, нейтрализуют рассол в баке с мешалкой. С рассол поступает на электролиз. [33]
Изотермическое испарение раствора макрокомпонента в присутствии осадка создает благоприятные условия для логарифмического распределения микрокомпонента. При изотермическом испарении гомогенного раствора происходит постепенное увеличение его пересыщения, скорость возрастания которого зависит от скорости испарения. Если же испарение протекает в присутствии предварительно введенных кристаллов макрокомпонента, то происходит рост кристаллов макрокомпонента. В результате одновременного испарения и роста кристаллов в системе устанавливается постоянное пересыщение, величина которого зависит от массы осадка, перемешивания раствора, способствующего росту кристаллов, и скорости испарения. [34]
Во многих промышленных кристаллизаторах ядра кристаллизации образуются одновременно в результате нескольких, а возможно и всех перечисленных механизмов. Хотя, как правило, исключить любой из этих механизмов невозможно, некоторые из них удается частично подавить для регулирования процесса образования ядер. Так, механизм 1 почти полностью отсутствует в любых кристаллизаторах непрерывного действия, поскольку присутствие кристаллов эквивалентно посеву ( механизм 4) и поэтому чрезмерного пересыщения раствора не требуется. [35]
Явление двойного лучепреломления можно наблюдать под микроскопом, поместив материал, содержащий сферолиты, между скрещенными поляроидами. Присутствие сферолитов непосредственно свидетельствует о кристалличности данного материала. Заметим, что двойное лучепреломление само по себе без сферолитной структуры не является достаточным доказательством присутствия кристаллов, поскольку двойное лучепреломление наблюдается и в ориентированных аморфных областях. [36]
Интенсивное образование гидрата происходит только при встряхивании воды, находящейся в контакте со сжатым ацетиленом. Если вода находится в покое, то на ее поверхности образуется слой кристаллогидрата, который значительно замедляет дальнейшее протекание процесса. Кроме того, образование кристаллогидрата замедляется, если стенки сосуда покрыты масляной пленкой, и ускоряется при понижении температуры, что обусловлено присутствием кристаллов льда. [37]
Для образования кристаллогидрата из жидкой воды и газообразного ацетилена необходимо, чтобы давление ацетилена значительно превышало равновесное. Это превышение должно быть тем больше, чем выше температура. Интенсивное образование гидрата происходит только при встряхивании воды, находящейся в контакте со сжатым ацетиленом. Если вода находится в покое, то на ее поверхности образуется слой кристаллогидрата, который значительно замедляет дальнейшее протекание процесса. Кроме того, образование кристаллогидрата замедляется, если стенки сосуда покрыты масляной пленкой, и ускоряется при понижении температуры благодаря присутствию кристаллов льда. [38]
Страницы: 1 2 3