Присутствие - дефект
Cтраница 2
В случае наличия на поверхности детали впадин и местных усилений порошок скапливается не столько в зависимости от присутствия дефекта, сколько от особенностей рельефа. В этом случае контроль дефектов порошком становится малоэффективным. [16]
 |
Зависимость чуп - ciвительностн магнитопо-рошкового метода от вида тока и способа нанесения порошка. [17] |
В случае наличии на поверхности детали впадин и местных усилений порошок скапливается не столько в зависимости от присутствия дефекта, сколько от особенностей рельефа. В этом случае контроль дефектов порошком становится малоэффективным. [18]
Отклонения от кубической симметрии могут быть связаны с отступлением от кубической симметрии в твердом теле или с присутствием дефектов в структуре, являющейся во всех остальных отношениях кубической. [19]
Отклонения от кубической симметрии могут быть связаны с отступлением от кубической симметрии в твердом теле пли с присутствием дефектов в структуре, являющейся во всех остальных отношениях кубической. [20]
Упорядочение точечных дефектов под действием напряжения зависит главным образом от способности приложенного напряжения изменять свободную энергию, обусловленную присутствием дефекта в кристалле. [21]
Исследование ионной электропроводности представляет удобный метод исследования дефектности кристаллов галогенидов щелочных металлов, так как их электропроводность непосредственно зависит от присутствия дефектов в кристаллах. [22]
Необходимо, однако, заметить, что, согласно представлению Мейкляра [7], для образования / - центра нет необходимости в присутствии дефектов по Шоттки; он предполагает, что при нагревании галогенида серебра электрон вследствие теплового возбуждения переходит от иона брома к иону серебра. Образовавшийся нейтральный атом брома диффундирует по решетке, и в местах, покинутых атомами брома, образуются / - центры. [23]
В заключение следует упомянуть, что экспоненциальная форма края поглощения может быть также обусловлена тремя другими причинами: во-первых, внутренними электрическими полями в кристалле, во-вторых, деформацией решетки, вызванной натяжениями, связанными с присутствием дефектов, и, в-третьих, неупругим рассеянием заряженных носителей фононами. [24]
В наноструктурных ИПД металлах и сплавах, как будет показано ниже в § 2.1, экспериментальные исследования, проведенные с использованием различных, часто взаимно дополняющих методов, каковыми являются просвечивающая, включая высокоразрешающую, электронная микроскопия, рентгеноструктурный анализ, мессбауэровская спектроскопия, дифференциальная сканирующая калориметрия, свидетельствуют, что границы зерен носят неравновесный характер, обусловленный присутствием зерногра-ничных дефектов с высокой плотностью. [26]
Наличие неоднородности в изделии приводит к изменению частоты собственных колебаний. Присутствие дефектов в изделии приводит к изменению амплитуд колебаний этих частот. Изменение амплитуд колебаний в исследуемом объекте определяется специальным устройством, называемым анализатором спектра. [27]
Последние лишь слегка будут сказываться на термическом расширении, но окажут сильное влияние на молярную теплоемкость. Возможно, что присутствие дефектов обоих типов приведет к различным значениям энергии активации для молярной теплоемкости и термического расширения. [28]
Это так называемые дефекты кристаллического строения, присутствие которых сказывается, и иногда очень существенно, на свойствах кристаллов. Многие другие практически важные свойства кристаллов определяются именно присутствием специально создаваемых дефектов структуры, в частности, каталитическая активность, полупроводниковые свойства, способность к люминесценции, окраска и другие. [29]
Вместе с тем необходимо иметь в виду, что высокая энергия связи является лишь одним из факторов, определяющих диффузионную подвижность. Особенно большое влияние на эту характеристику твердого тела оказывает присутствие дефектов. Очевидно, что в области металла, где имеются дефекты, упаковка атомов является менее плотной, а связь между атомами ослаблена. Поэтому в таких областях диффузионная подвижность повышена по сравнению с металлом, не содержащим дефектов. Различные дефекты являются теми областями кристалла, где энергия активации процесса диффузии оказывается меньшей, чем в объеме кристалла. Поэтому роль областей повышенной подвижности при высоких температурах уменьшается, так как соответствующее значение D0 мало. [30]
Страницы: 1 2 3 4