Cтраница 1
Пробег частицы в эмульсии позволяет определить ее пробег в воздухе. [1]
Пробегом частицы называется путь ее в веществе до полной остановки. [2]
Пробегом частицы данной энергии называется средняя длина пути частицы в данном веществе, на котором частица растрачивает всю свою начальную кинетическую энергию. Теоретически вьт численные длины пробегов быстрых электронов и позитронов оказались гораздо меньше определенных на опыте пробегов космических частиц. [3]
Длина пробега частицы представляет собой характерное расстояние, которое пробная частица проходит между соседними соударениями с частицами газа. [4]
Длина пробега частицы зависит от заряда, массы, начальной энергии и среды, в которой происходит движение. Длина пробега увеличивается с возрастанием начальной энергии частицы и уменьшением плотности среды. При одинаковой начальной энергии тяжелые частицы обладают меньшими скоростями, чем легкие. Медленно движущиеся частицы взаимодействуют с атомами более эффективно и быстрее растрачивают имеющийся у них запас энергии. [5]
Под пробегом частицы понимается расстояние, которое она проходит в данном материале до того момента, когда ее кинетическая энергия снижается до величины, при которой частица уже не может вызывать ионизацию. [6]
![]() |
Гигантские осцилляции поля Холла в Be. [7] |
В плазме пробеги частиц могут быть самыми разнообразными. При давление порядка атмосферного в низкотемпературной плазме длина свободного пробега невелика ( - 10 - 4 см), хотя она и больше пробега в конденсиров. В высокотемпературной плазме длины свободных пробегов частиц очень велики. [8]
В газах пробеги частиц определяются сантиметрами, в конденсированных средах - микрометрами. [9]
При рассмотрении пробегов частиц в веществе наиболее интересно исследовать процессы при определенной энергии частиц. [10]
![]() |
Типичный телескоп пропорциональных счетчиков. [11] |
При этом определяется пробег частицы. [12]
При альфа-излучении длина пробега частиц невелика - в воздухе она составляет всего несколько сантиметров. [13]
Конечно, длина пробега частицы в полупроводнике зависит от ее массы и энергии; протоны низких энергий поглощаются слоем толщиной всего лишь несколько микрон, а электроны высоких энергий легко проходят через весь элемент, оставляя дефектный след на своем пути. [14]
Наиболее интересно отношение пробегов частиц, обладающих одинаковыми начальными энергиями. [15]