Свободный пробег - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Каждый подумал в меру своей распущенности, но все подумали об одном и том же. Законы Мерфи (еще...)

Свободный пробег - электрон

Cтраница 1


Свободный пробег электрона в воздухе при нормальном давлении равен 5 - Ю-3 мм. Определить напряженность электрического поля, при которой может произойти ионизация соударением ( толчком) молекул воздуха.  [1]

Длина свободного пробега электрона обратно пропорциональна вероятности рассеяния электр она внутри кристаллической решетки полупроводника. Мерой такой вероятности служит степень отступления от строгой периодичности идеальной кристаллической решетки.  [2]

Длина свободного пробега электронов, вычисленная из формул классической электронной теории, оказывается на несколько порядков больше межатомного расстояния, что противоречит основным представлениям теории.  [3]

Длина свободного пробега электронов весьма мала. Поэтому электроны под действием поляне успевают приобрести большой скорости; их средняя скорость упорядоченного ( создаваемого полем) движения и во много раз меньше средней скорости v их теплового движения.  [4]

Длина свободного пробега электронов в металле определяется волновыми свойствами электронов.  [5]

Длина свободного пробега электрона в пленке ограничивается не только ее поверхностью, но и структурными дефектами. На структуру пленки влияет температура подложки в момент осаждения, поэтому удельное сопротивление зависит от температуры подложки, уменьшаясь с возрастанием температуры. Снижение удельного сопротивления наблюдается у пленок, полученных на холодной подложке после прогрева в вакууме. Температура структурных превращений пленок близка к температуре рекристаллизации металла и существенно зависит от толщины пленок. Степень изменения удельного сопротивления после прогрева у тонких пленок более велика, чем у толстых.  [6]

Средняя длина свободного пробега электронов при рассеянии на тепловых колебаниях решетки должна быть, очевидно, обратно пропорциональна концентрации фононов: А фоо 1 / иф.  [7]

Обычно длина свободного пробега электрона в полупроводнике значительно меньше толщины электронно-дырочного перехода. Если за время свободного пробега электроны успевают набрать достаточную энергию, то возникает ударная ионизация атомов электронами. Поскольку скорость электронов, определяющая их энергию, зависит от напряженности электрического поля: vn inE, для ударной ионизации необходима определенная величина этой напряженности.  [8]

Когда длина свободного пробега электрона начинает ограничиваться примесями и дефектами, она становится температурно независящей и сопротивление, которое и называется остаточным, становится практически постоянной величиной. В неупорядоченных сплавах даже при комнатной температуре сопротивление может обусловливаться главным образом неоднородностями.  [9]

Средняя длина свободного пробега электронов много меньше размеров сосуда, в котором они заключены.  [10]

Если длина свободного пробега электронов превышает расстояние между электродами, то движение электронов можно рассматривать как свободное. Теплопередача сводится к переносу энергии электронами и к лучеиспусканию.  [11]

Средняя длина свободного пробега электронов ( Х3) приближенно может быть получена из толщины dK области при-катодного падения у холодного катода газоразрядного прибора; действительно, Ке-ак. По величине Яе судят о давлении газа в лампе [ уравнения ( 182) и ( 180в) ]; поэтому этот метод часто применяют для сравнительных оценок давления в разборных газоразрядных трубках.  [12]

Средняя длина свободного пробега электронов при давлении 10 - 2 мм рт. ст. равна 43 мм.  [13]

Если длина свободного пробега электронов превышает расстояние между электродами, то движение электронов можно рассматривать как свободное. Теплопередача сводится к переносу энергии электронами и к лучеиспусканию.  [14]

Конечность длины свободного пробега электрона обусловлена неидеальностью решетки и взаимодействием электронов. Неидеальность же решетки, в свою очередь, связана с наличием примесей и искажений, а также с тепловыми колебаниями решетки. Таким образом, следует различать три основных механизма рассеяния электронов - рассеяние электронов примесными атомами, рассеяние электронов колебаниями решетки и рассеяние электронов электронами.  [15]



Страницы:      1    2    3    4