Свободный пробег - электрон
Cтраница 3
Когда средняя длина свободного пробега электрона мала, следует ожидать, что она приближенно равна размерам области когерентности. [31]
Если средняя длина свободного пробега электрона намного превышает расстояние между электродами прибора, то достигнутое разрежение может считаться достаточно высоким. [32]
Одновременно средняя длина свободного пробега электрона возрастает, так что она может стать больше глубины скин-слоя. В таких условиях скин-эффект называется аномальным. За время одного свободного пробега электрон будет двигаться через области с разной напряженностью поля. Поэтому при расчете вклада свободного электрона в поляризованность металла действующее на него электрическое поле нельзя считать однородным. В результате оказывается, что при низких температурах макроскопическая теория применима в области достаточно низких частот, когда глубина скин-слоя значительно больше длины свободного пробега, и в области высоких частот, когда столкновения электронов становятся несущественными и глубина скин-слоя должна превосходить не длину свободного пробега, а среднее расстояние, проходимое электроном в течение одного периода колебаний поля. При промежуточных частотах ни одно из этих условий не выполняется и нужно учитывать пространственную зависимость напряженности электрического поля, действующего на свободные электроны. Задача теоретического описания оптических свойств металла в таких условиях становится чрезвычайно сложной. Она может быть решена методами физической кинетики. [33]
В действительности длина свободного пробега электронов по отношению к рассеянию их друг другом может быть значительно больше этого значения. Оценив длины пробега электрона по отношению к различным процессам, можем выяснить, как зависит электропроводность или сопротивление металла от температуры и концентрации примесей. [34]
Чем определяется длина свободного пробега электрона в реальной кристаллической решетке. [35]
Здесь I - средняя свободного пробега электрона, w - скорость звука. Электродвижущая сила пропорциональна интенсивности света и обратно пропорциональна толщине пластинки и числу электронов в единичном объеме. [36]
Таким образом, длина свободного пробега электронов при температурах, больших Т0, обратно пропорциональна абсолютной температуре. У обычных металлов граничной температурой, разделяющей области высоких и низких температур, является дебаев-ская температура. [37]
 |
Удельная электропроводность паров цезия на линии насыщения ( 1, 7, 8 и изобарах ( 2 - 6 5. 3, 10 - 20. 4 - 35. 5 - 50. 6, 9 - 61 бар. Кривые - расчет. [38] |
Таким образом, длина свободного пробега электрона должна слабо зависеть от сечений рассеяния на кластерах. [39]
Оценить величину средней длины свободного пробега электрона при комнатной температуре в германии п-типа, если известно, что подвижность электронов 6 - 3600 см2 / в-сек. [40]
Рассмотрим теперь среднюю длину свободного пробега электронов в идеальном газе. [41]
Благодаря этому средняя длина свободного пробега электронов между взаимными соударениями имеет порядок ( L / kT) 2 - ( l / r rc), большая величина множителя ( С / А Т) 2 показывает, что рассеянием электронов на электронах всегда можно пренебречь по сравнению с рассеянием, вызываемым другими механизмами. Де-Хааз и де - Бур [164] в Лейдене наблюдали такой вклад в сопротивление при низких температурах у некоторых металлов, например у платины ( фиг. Бебер [165] высказал предположение, что эта часть сопротивления определяется взаимодействием электрон-электрон между различными зонами. [42]
А - среднюю длину свободного пробега электрона, которые непосредственно не поддаются опытному измерению. Теория Лоренца предполагает, что п0 по порядку совпадает с числом атомов в единице объема, а А равно расстоянию между ионами в кристаллической решетке проводника. Эти предположения естественны и не противоречат опытным значениям коэффициента электропроводности. Выражение для о, однако, не дает правильной температурной зависимости, так как единственный член в выражении для а, который, несомненно, зависит от температуры, - это скорость и теплового движения электронов. [43]
В некоторых полупроводниках длина свободного пробега электронов оказывается порядка межатомных расстояний. [44]
При таком давлении длина свободного пробега электрона велика, и он уходит на анод, не испытав соударений с частицами остаточного газа. Чтобы удлинить путь электрона, не увеличивая расстояние между электродами, предложено специальное расположение электродов во внешнем магнитном поле, так называемая ячейка Пеннинга. Проходя через полый анод, электроны начинают колебаться между катодами и под влиянием магнитного поля движутся по циклоидам, сталкиваясь с молекулами остаточного газа, что приводит к возникновению газового разряда. [45]
Страницы: 1 2 3 4