Средний свободный пробег - электрон
Cтраница 1
 |
Зависимость относительной ионизации от энергии электрона ( воздух, р 1 мм рт. ст., 0 С. [1] |
Средний свободный пробег электрона определяется как средний путь, пробегаемый в газе частицей с размерами, пренебрежимо малыми по сравнению с размерами атома, молекулы. Принимается при определении Аг, что молекулы газа шарообразны. [2]
Если средний свободный пробег электрона в газе Яср, то число столкновений электрона с атомами на пути в 1 см равно 1Д ср. [3]
Ае - средний свободный пробег электронов, измеренный вдоль криволинейного пути. Предполагается, что определенная таким образом величина Ке не должна зависеть от поля и равна обычному прямолинейному пробегу электронов в данной газовой среде при отсутствии поля. [4]
В выражении для а средний свободный пробег электронов входит в числитель. Следовательно, общее электрическое сопротивление металлического проводника складывается из значений сопротивлений, обусловленных различными процессами рассеяния электронов. [5]
Для объектов с малыми атомными номерами средний свободный пробег электронов достаточно велик и вероятность рассеяния низка, поэтому вблизи поверхности доля отраженных электронов невелика. Большая часть электронов проникает глубоко в мишень и поглощается. При большом Z основное число актов рассеяния происходит вблизи поверхности и значительная часть первичных электронов испытывает отражение, причем их энергия близка к энергии электронов зонда. [6]
Как обсуждалось ранее, изменения удельного сопротивления металла соответствуют изменениям среднего свободного пробега электронов. Поскольку любой электрон будет своеобразно отражаться от поверхности ( когда он ее достигает), то удельное сопротивление увеличивается по мере того, как утопывается образец, вследствие чего число соударений с поверхностью начинает составлять значительную часть из общего количества соударений. Другими словами, удельное сопротивление увеличивается всякий раз, когда один или несколько размеров образца становятся сравнимыми при определенной температуре со средним свободным пробегом или становятся меньше среднего свободного пробега. Аналогией этого может служить сравнение зеркальных и незеркальных случаев применительно к ослаблению распространения света от источника с полированными и рассеивающими поверхностями соответственно. [7]
В предыдущем разделе было показано, что о может уменьшаться, когда средний свободный пробег электрона л становится сравнимым с толщиной пленки или превышает ее. [8]
Электропроводность полупроводника растет с увеличением температуры, несмотря на то что при этом средний свободный пробег электронов проводимости уменьшается. [9]
Градиент VJ должен, разумеется, считаться малым, поскольку на расстояниях порядка среднего свободного пробега электрона свет почти не поглощается. [10]
Ко - постоянная, отражающая баланс членов поверхностной энергии для чистого материала с бесконечным средним свободным пробегом электрона. [11]
Сравнивая теоретическое выражение, полученное для проводимости металла, с экспериментальными данными, легко определить средний свободный пробег электронов. [12]
При низких температурах благодаря возрастанию проводимости глубина проникновения поля высокой частоты в металле уменьшается, тогда как средний свободный пробег электронов увеличивается, так что он может стать в несколько раз больше глубины скин-слоя. Поэтому электрон за время свободного пробега будет двигаться через области с разной напряженностью поля; добавочная скорость, которую он получит, будет зависеть от напряженности поля вдоль всего пути движения. Результаты строгого математического решения показывают [51], что напряженность электрического поля определяется сложным выражением, но не имеет экспоненциального вида, который предсказывается классической теорией. Так как распространение волны не является более экспоненциальным, то классическое представление о комплексном показателе преломления в общей теории теряет свой физический смысл. [13]
Как правило, свет проникает в полупроводник на расстояние порядка нескольких длин волн, которое значительно превосходит длину среднего свободного пробега электронов. Обозначим через J число электронов проводимости, создаваемых в единицу времени в единице объема. [14]
Мы опустили член g, сохранив A - hSkTitg, поскольку их отношение, как будет показано, имеет порядок отношения среднего свободного пробега электрона к длине захвата, которое гораздо меньше единицы. [15]
Страницы: 1 2 3