Пробой - коллекторный переход
Cтраница 1
Пробой коллекторного перехода объемный и равномерно распределен по площади однородного р - и-пере-хода. [1]
Пробой коллекторного перехода, как правило, возникает вследствие ударной ионизации и соответствует аналогичному явлению для диода, которое было подробно рассмотрено в гл. [2]
КБ происходит пробой коллекторного перехода. Поэтому при изготовлении транзистора в коллекторную область обычно вводят меньшую дозу примеси, чем в область эмиттера, что приводит к увеличению толщины коллекторного перехода и его пробивного напряжения. [3]
Превышение допустимого напряжения вызывает пробой коллекторного перехода, превышение допустимого тока - выход его из строя из-за перегрева. Предельные значения мощности, напряжения и тока транзисторов при определенной температуре окружающей среды указывают в их паспортах, там же приводят формулы для пересчета допустимой мощности, рассеиваемой коллектором, при температурах окружающей среды, отличной от заданной. [4]
Другой причиной, способной вызывать пробой коллекторного перехода, является ударная ионизация. [5]
При дальнейшем повышении напряжения происходит пробой коллекторного перехода. [6]
Имеются данные о зависимости напряжения пробоя коллекторного перехода от частоты переменного напряжения на коллекторе. [7]
Оба рассмотренных выше случая относились к пробою коллекторного перехода и поэтому не были непосредственно связаны с конструкцией триода. [8]
При значительном напряжении 1 / къ происходит пробой коллекторного перехода. КБпроб - Поэтому при изготовлении транзистора в коллекторную область обычно вводят меньшую дозу примеси, чем в область эмиттера, что приводит к увеличению толщины коллекторного перехода и его пробивного напряжения. [9]
Из соотношения ( 12) следует, что пробой коллекторного перехода в схеме ОЭ имеет место при напряжении в 1 5 2 раза меньшем, чем в схеме ОБ. [10]
Этот выброс опасен, поскольку он может вызвать пробой коллекторного перехода транзистора. Для уменьшения величины выброса коллекторную обмотку трансформатора шунтируют цепью, состоящей из диода Д и резистора, включаемого для уменьшения постоянной времени перемагничива-ния индуктивности L трансформатора. [11]
При значениях обратного напряжения, меньших минимального напряжения пробоя коллекторного перехода, лавинное умножение носителей в слое объемного заряда этого перехода пренебрежимо мало. Генерационный ток перехода j экспоненциально растет с температурой из-за роста концентрации собственных носителей - в кремнии. [12]
 |
ВАХ тиристора в обратном направлении при различных температурах.| Зависимость обратного напряжения пробоя тиристора от температуры. [13] |
При высоких значениях обратного напряжения, превышающих минимальное напряжение пробоя коллекторного перехода, лавинное умножение носителей в слое объемного заряда этого перехода может быть значительным. Генерационный ток перехода j ( / /, по-прежнему экспоненциально растет с ростом температуры. Однако коэффициент лавинного умножения носителей М уменьшается с ростом температуры из-за уменьшения коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок. [14]
При подаче на эмиттер запирающего напряжения все рассуждения относительно пробоя запертого коллекторного перехода можно применить и к эмиттерному переходу. [15]
Страницы: 1 2 3 4