Пробой - коллекторный переход
Cтраница 2
Для увеличения максимально допустимого напряжения коллектора, которое ограничивается напряжением пробоя коллекторного перехода, зависящего от толщины запирающего слоя, в область коллектора обычно вносят меньшую дозу примеси, чем в область эмиттера NaK. [16]
Структура, напряжение переключения которой при / о 0 было меньше напряжения пробоя коллекторного перехода, при / е0 может иметь напряжение переключения, превышающее минимальное напряжение пробоя коллекторного перехода. [17]
В р - п - р - n - переключателях напряжение, при котором происходит пробой центрального коллекторного перехода, определяет верхнюю границу области, в которой прибор можно использовать в прямом направлении. Подобным же образом обратное пробивное напряжение одного или обоих эмиттеров ограничивает напряжение, которое прибор способен заблокировать в обратном направлении. Преждевременный пробой может возникнуть из-за неконтролируемых состояний на поверхности или серьезных дефектов в переходе, но нас сейчас интересуют другие причины пробоя. Ниже рассматривается важный вопрос о лавинном пробое, а поскольку он играет очень большую роль в работе р - п - р - и-приборов, необходимо ознакомиться с этим вопросом обстоятельнее. [18]
 |
Вольт-амперная характеристика тиристора при различных токах управляющего электрода.| Зависимость напряжения переключения ( в относительных единицах от тока управляющего электрода. [19] |
При нулевом токе управляющего электрода переключение этих структур в открытое состояние происходит при напряжениях, превышающих минимальное напряжение пробоя коллекторного перехода, и коэффициент лавинного умножения Мэ-1. Для выполнения условия переключения при этом требуется существенный рост тока / G. [20]
 |
Зависимости критического и вносимого зарядов от напряжения в закрытом состоянии.| Распределение дырок в базе п тиристора в различные моменты времени. [21] |
В реальных условиях применения к тиристорам в закрытом состоянии обычно не допускается прикладывать анодные напряжения, превышающие напряжение пробоя коллекторного перехода. [22]
Превышение напряжения ик макс при модуляции в максимальном режиме относительно номинального в транзисторных генераторах недопустимо, так как вызывает пробой коллекторного перехода. [23]
 |
Выходные ВАХ биполярного п-р - п транзистора в схеме с общим эмиттером.| Входные ВАХ биполярного п-р - п транзистора в схеме с общим эмиттером. [24] |
В зависимости от режимов включения участка база-эмиттер значения максимально допустимого ( пробивного) напряжения на коллекторе, при котором наступает пробой коллекторного перехода, оказываются различными. Наибольшим пробивным напряжением ЦКБО проб транзистор обладает при включении обратного напряжения между коллектором и базой при разомкнутой цепи эмиттера. [25]
 |
Устранение самовозбуждения операционного усилителя при емкостной ( а и индуктивной ( б нагрузках. [26] |
Подключение к выходу ОУ элемента с отрицательным сопротивлением ( туннельный диод, тиристор, одно-переходный транзистор или транзистор, работающий в области пробоя коллекторного перехода) также может привести к самовозбуждению. [27]
Структура, напряжение переключения которой при / о 0 было меньше напряжения пробоя коллекторного перехода, при / е0 может иметь напряжение переключения, превышающее минимальное напряжение пробоя коллекторного перехода. [28]
При увеличении обратного смещения на коллекторном переходе выше определенного значения происходит увеличение количества носителей заряда за счет ударной ионизации и транзистор переходит в область IV, называемую областью лавинного пробоя. При разомкнутой цепи эмиттера механизм пробоя коллекторного перехода соответствует пробою обычного диода. Напряжение пробоя для этого случая обозначено на рис. 2 - 5 как С / бк. При подключении эмиттера к источнику питания в транзисторе действует внутренняя положительная обратная связь, увеличивающая количество носителей заряда и тем самым ускоряющая образование лавинного пробоя. Смещение эмиттерного перехода в обратном направлении увеличивает напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода, а смещение в прямом направлении - уменьшает. [29]
Это свидетельствует о диффузионном характере перемещения неосновных носителей заряда через базу, а не в результате дрейфа в электрическом поле коллектора. При [ 7кб t / K6np происходит пробой коллекторного перехода и коллекторный ток резко возрастает. Такой режим работы транзистора является недопустимым. [30]
Страницы: 1 2 3 4