Тепловой пробой

Cтраница 4

Зависимость коэффициента усиления мощности от режима на частоте 108 Мгц для транзистора 2N1142 ( схема с общей базой.| Временная диаграмма тока. [46]

Тепловой пробой возникает тогда, когда увеличение тока утечки за счет увеличения температуры приводит к увеличению мощности рассеяния, приводящему к дальнейшему повышению температуры и тока утечки. Если этот процесс поддерживается, то возникает тепловой пробой. [47]

Вольтамперные характеристики электронно-дырочных переходов при различных видах пробоя. [48]

Тепловой пробой, как уже упоминалось, происходит в электронно-дырочных переходах с большими обратными токами. Обычные р-п-пере-ходы имеют настолько малые обратные токи, что тепловой пробой в них маловероятен, он может иметь место, если обратный ток каким-либо образом увеличен, что наблюдается, как мы увидим далее, в полупроводниковых усилительных приборах - транзисторах. [49]

Вольт-амперная характеристика р - п-перехода. [50]

Тепловой пробой развивается за счет интенсивной термогенерации носителей в р - n - переходе при недопустимом повышении температуры. Процесс развивается лавинообразно и ввиду неоднородности р - п-перехода носит локальный характер. Лавинообразный характер развития теплового пробоя обусловлен тем, что увеличение числа носителей заряда за счет повышения температуры вызывает увеличение обратного тока и, следовательно, еще больший разогрев р - п-перехода. Процесс заканчивается расплавлением участка р - п-перехода и выходом прибора из строя. Тепловой пробой возможен и при протекании недопустимо большого прямого тока, приводящего к перегреву и расплавлению перехода. [51]

Тепловой пробой имеет место в тех случаях, когда не обеспечивается необходимый отвод тепла от р - - перехода. В результате переход может перегреться и выйти из строя. Тепловой пробой наступает при более низких обратных напряжениях, чем электрические виды пробоя. [52]

Тепловой пробой имеет место и в таких жидких диэлектриках, как керосин или трансформаторное масло. Благодаря текучести жидкости в этом случае пробоя не остается проплавленного канала, как в твердых изоляторах. [53]

Тепловой пробой в этом случае развивается в результате нестабильности параллельной работы отдельных участков р-п перехода при отрицательном температурном коэффициенте сопротивления. [54]

Энергетическая диаграм - электронно-дырочного нема перехода при наличии значи - Ре ОДа ПО сопротивлению тельного обратного смещения. ток концентрируется в от. [55]

Тепловой пробой наступает, когда количество отводимого тепла оказывается меньше выделяемого в электронно-дырочном переходе. Под воздействием тепла происходит интенсивная генерация электронно-дырочных пар, их концентрация начинает превышать примесную и сопротивление полупроводника резко уменьшается. [56]

Тепловой пробой обусловлен прогрессивно нарастающим выделением тепла в диэлектрике за счет диэлектрических потерь. [57]

Тепловой пробой возничает при недостаточном охлаждении кристалла. В этом случае температура р-я-перехода повышается, что приводит к увеличению генерации носителей зарядов, увеличению тока и дальнейшему повышению температуры. В конечном счете кристалл разрушается. Для борьбы с тепловым пробоем полупроводниковые приборы снабжаются устройствами, повышающими теплоотдачу. [58]

Тепловой пробой обусловлен нарушением теплового равновесия диэлектрика вследствие диэлектрических потерь. [59]

Зависимость пробивной прочности изоляционных материалов от температуры. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5