Тепловой пробой - переход
Cтраница 1
Тепловой пробой р-п перехода возникает вследствие потери устойчивости теплового режима. В свою очередь увеличение температуры приводит к росту обратного тока и рассеиваемой мощности. [1]
Тепловой пробой р-п перехода возникает вследствие потери устойчивости теплового режима. В свою очередь увеличение температуры приводит к росту обратного тока и рассеиваемой мощности. На рис. 2 - 9, в штрих-пунктиром показана линия максимально допустимой мощности диода, представляющая собой гиперболу / обр. Такая же линия / пр / макс / / пр ограничивает максимально допустимую мощность диода при прямом токе. [2]
Тепловой пробой р-п перехода происходит вследствие вырывания валентных электронов из связей в атомах при тепловых колебаниях кристаллической решетки. Тепловая генерация пар электрон - г - дырка приводит к увеличению концентрации неосновных носителей заряда и к росту обратного тока. Увеличение тока, в свою очередь, приводит к дальнейшему повышению температуры. [3]
Тепловой пробой р-п перехода возникает вследствие потери устойчивости теплового режима его работы. При увеличении приложенного к переходу обратного напряжения мощность, рассеиваемая на нем, растет. Это приводит к увеличению температуры перехода и соседних с ним областей полупроводника. В свою очередь, увеличение температуры приводит к повышению обратного тока перехода и рассеиваемой мощности. [4]
Различают электрический и тепловой пробой р-п перехода. Электрический пробой может быть лавинным или туннельным и не сопровождается разрушением р-п перехода. Тепловой пробой, как правило, сопровождается разрушением р-п перехода и выходом прибора из строя. [5]
Условно можно различать необратимый тепловой пробой перехода и обратимый, однако практический интерес представляет лишь обратимый, при котором разрушения перехода не происходит и после охлаждения параметры транзистора полностью восстанавливаются. [6]
Определим пробивное напряжение, приводящее к тепловому пробою р-п перехода. [7]
Превышение этой величины приводит к росту коллекторного тока и электрическому или тепловому пробою перехода. ОЭ) предельное напряжение на коллекторе лимитируется также возможностью лавинообразного роста тока коллектора, проходящего через эмиттерный переход. [8]
 |
Схема стабилизатора постоянного напряжения на кремниевом стабилитроне.| Стабилизатор неременного напряжения ( а и форма его выходного напряжения ( б. [9] |
Максимальная мощность рассеивания Ртяк - наибольшая мощность, выделяющаяся в р-п переходе, при которой не возникает тепловой пробой перехода. [10]
И появляется зависимость пробивного напряжения от температуры, так как с ростом обратного тока увеличивается разогрев диода и может произойти тепловой пробой перехода. [11]
За точкой 2 наблюдается существенное увеличение обратного тока вызываемое пробоем р-п перехода. Различают электрический и тепловой пробой р-п перехода. [12]
 |
Схемы параллельного включения транзисторов. [13] |
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзистора была минимальной и не превышала допустимой. Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода. [14]
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзисторов была минимальной и не превышала допустимую. Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода. Тепловой пробой возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п перехода. Во избежание теплового пробоя необходимо улучшать отвод тепла от транзистора. [15]
Страницы: 1 2