Тепловой пробой - переход
Cтраница 2
При применении мощных транзисторов необходимо обеспечивать правильный тепловой режим работы, чтобы температура корпуса транзистора была минимальной и не превышала допустимой. Превышение предельной температуры может привести к тепловому пробою р-п перехода. Тепловой пробой возникает вследствие лавинообразного нарастания температуры р-п перехода. Во избежании теплового пробоя необходимо улучшать отвод теплоты от транзистора. Правильный выбор теплового режима работы снижает интенсивность отказов транзисторов, а также обеспечивает стабильность выходных параметров аппаратуры. Обеспечение оптимального теплового режима работы транзисторов играет первостепенную роль при создании надежной аппаратуры. [16]
Вольтамперные характеристики для двух первых видов пробоя оказываются довольно сходными, и практически не всегда можно с уверенностью сказать, какая из причин вызвала пробой. Однако во всех случаях неограниченное возрастание тока приводит к тепловому пробою перехода, разрушению перехода и полному выходу из строя диода или триода. [17]
Превышение этих величин приводит к росту тока и электрическому или тепловому пробою перехода. [18]
Обычно полупроводниковые диоды не допускают кратковременной перегрузки по обратному напряжению, так как лавинообразное увеличение тока происходит на очень небольшом участке p - n - перехода. На этом участке выделяется большое количество тепла, происходит местный разогрев и тепловой пробой перехода в этом месте. [19]
Следует помнить, что напряжение питания омметра ( 4 5 В для авометра Ц4341) может превышать допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода проверяемых транзисторов. На этих пределах измерения ток в цепи будет больше 0 5 мА, что может быть причиной необратимого теплового пробоя перехода. На высокоомных пределах ( ХЮ илиХЮО кОм и выше) ток в цепи омметра меньше 0 5 мА - возникающий пробой носит обратимый характер и не опасен для перехода. [20]
С увеличением обратного напряжения обратный ток также растет, но медленнее, чем с повышением температуры. Лишь при подаче обратного напряжения, больше нормированного, происходит резкое его увеличение, что может привести к тепловому пробою р-п перехода. [21]
Вторым недостатком этой схемы является сильная зависимость коллекторного тока от температуры окружающей среды. При повышении температуры и, следовательно, при нагревании транзистора, его коллекторный ток резко возрастает, что может привести к тепловому пробою перехода. [22]
 |
Последовательное включение выпрямительных диодов.| Параллельное включение выпрямительных диодов. [23] |
Обратные сопротивления выпрямительных диодов имеют большой разброс ( различия достигают до одного-двух порядков), поэтому обратное напряжение, приложенное к цепи последовательно соединенных диодов, распределится неравномерно, а пропорционально их обратным сопротивлениям. Это может привести к электрическому, а затем тепловому пробою р-п перехода этого диода; после этого обратное напряжение распределится между оставшимися диоде. Произойдет пробой следующего диода, у которого обратное сопротивление перехода наибольшее среди оставшихся диодов. [24]
MaKC определяется электрической прочностью коллекторного перехода. Превышение этой величины приводит к росту коллекторного тока и электрическому или тепловому пробою перехода. [25]
 |
Схематическое устройство и внешний вид точечного диода серии Д9. [26] |
Как для плоскостных, так и для точечных диодов существуют максимально допустимые значения прямого и обратного токов, зависящие от прямого и обратного напряжений и определяющие их выпрямительные свойства и электрическую прочность. Но если его включить в цепь, потребляющую ток более 300 мА, он будет нагреваться, что неизбежно приведет к тепловому пробою р-п перехода и выходу диода из строя. Диод будет пробит и в том случае, если он окажется в цепи, в которой на него будет подаваться обратное напряжение более чем 400 В. [27]
 |
Опыт, иллюстрирующий работу транзистора в режиме усиления. [28] |
В принципе этого резистора может и не быть. Я же рекомендовал включить его исключительно для того, чтобы ограничить ток в базовой цепи. Иначе через эмиттерный переход пойдет слишком большой прямой ток, в результате чего может произойти тепловой пробой перехода и транзистор выйдет из строя. [29]
Страницы: 1 2