Поверхностный пробой
Cтраница 1
Поверхностный пробой происходит в местах выхода р-п перехода на поверхность полупроводника. Он обусловлен увеличением напряженности поля объемного заряда в связи с искажением поля поверхностными зарядами, ухудшением свойств среды у поверхности полупроводника. [1]
Поверхностный пробой является следствием влияния поверхностного заряда на толщину перехода. Поверхностный заряд, имеющийся, как правило, на поверхности полупроводникового кристалла в месте выхода электронно-дырочного перехода, сильно искажает картину поля в переходе. [2]
Поверхностный пробой происходит в местах выхода р-п перехода на поверхность полупроводника. Он обусловлен увеличением напряженности поля объемного заряда в связи с искажением поля поверхностными зарядами, ухудшением свойств среды у поверхности полупроводника. [3]
Поверхностный пробой возникает из-за дефектов кристаллической решетки в области выхода полупроводникового перехода на поверхность кристалла. [4]
Поверхностный пробой [48-50] возникает в полупроводниковом р-п-переходе, если напряженность электрического поля Es превышает некоторую величину Етак Е ( рис. 2.14), определяемую шириной области объемного заряда W в объеме р-л-перехода. [5]
Поверхностный пробой обусловлен искажением электр. [6]
Поверхностный пробой представляет сложное явление разрушения в местах выхода р-я-перехода на поверхность полупроводника. Для стабилизации свойств поверхности полупроводника и уменьшения возможности поверхностного пробоя применяют защитные покрытия с высоким значением диэлектрической проницаемости. [7]
Поверхностный пробой здесь рассматривается не-только потому, что он характерен для реальных транзисторов, а еще и для упрощения эквивалентной схемы и наглядности иллюстрации. Такая среда также расслаивается, поскольку связь между элементами слабая, особенно в транзисторах с тонкой базой. Между им и базовым выводом может оказаться включенным некоторое сопротивление. К тому же сам он может обладать отрицательным сопротивлением. Однако неустойчивость и перераспределение тока возникает по достижении отрицательного сопротивления в любом из участков, а не обязательно в том, который играет роль стабиловольта и первоначально проводит ток, и ток может сконцентрироваться совсем в другом месте - другом дефектном участке, там, где произведение локального коэффициента усиления на коэффициент умножения наибольшее, например в месте сужения базы. Так и в транзисторе с объемным пробоем возникает гистерезис вольтамперной характеристики. А в ид и параметры петли гистерезиса, возможно, позволят судить о дефектности транзистора и самих дефектах. [8]
Поверхностным пробоем р - - перехода называют пробой перехода, который происходит в месте выхода перехода на поверхность кристалла и на пробивное напряжение которого оказывают влияние поверхностные состояния. [10]
Поверхностным пробоем р-м-перехода называют пробой перехода, который происходит в месте выхода перехода на поверхность кристалла и на пробивное напряжение которого оказывают влияние поверхностные состояния. [12]
Напряжение поверхностного пробоя обычно меньше напряжения пробоя воздуха при том же расстоянии между электродами. Поверхностный пробой - это пробой воздуха, осложненный присутствием диэлектрика. [13]
Напряжение поверхностного пробоя зависит от диэлектрических свойств среды, граничащей с поверхностью полупроводника. Такой средой обычно являются защитные покрытия, наносимые на полупроводниковый кристалл с целью предохранения его от действия влаги и различного рода загрязнений. Применение защитных покрытий с диэлектрической проницаемостью, большей, чем у полупроводника, позволяет повысить напряжение поверхностного пробоя. [14]
Теория поверхностного пробоя была развита Гарреттом и Брат-таном. По своему механизму поверхностный пробой может быть как лавинным, так и туннельным. [15]
Страницы: 1 2 3 4