Поверхностный пробой

Cтраница 2

Напряжение поверхностного пробоя обычно меньше напряжения пробоя воздуха при том же расстоянии между электродами. Поверхностный пробой - это пробой воздуха, осложненный присутствием диэлектрика. Наличие на поверхности диэлектрика зарядов и различие диэлектрических проницаемостей и проводимостей воздуха и диэлектрика приводят к сильному искажению электрического поля. Это и снижает Unp воздуха при поверхностном пробое. [16]

Вольтамперная характеристика р-п перехода. [17]

Теория поверхностного пробоя была развита Гаррет-том и Браттаном. [18]

После поверхностного пробоя мишени ( когда образуется входное отверстие) лазерная энергия направляется по гладкому отверстию к фронту лазерного бура. Образующаяся поглощающая плазма, связанная с фронтом бура, имеет яркое свечение и четко просматривается по мере углубления отверстия. В конце импульса перегрев газа в отверстии достигает максимума, после чего начинается сильное его расширение; горячий пар, образуя светящийся факел, выталкивается под действием ударной волны. При энергии импульса излучения ниже - 0 1 мДж процесс сверления материала прекращается. [19]

В возникает поверхностный пробой. Поле в обратно смещенном переходе охранного кольца имеет меньшую напряженность, и поэтому краевой эффект многократно ослаблен. Гетеропереход позволяет не только уменьшить токи утечки и увеличить максимальное допустимое обратное напряжение на диоде, но и снизить толщину эпитаксиаль-ного слоя, уменьшить объемное сопротивление кристалла и добиться малых прямых напряжений в сильноточных диодах. [20]

Наименее изучен поверхностный пробой. Суть его в том, что в месте выхода р - п перехода на поверхность возникает поверхностный заряд который сильно искажает поле в переходе. На поверхностный пробой оказывают большое влияние диэлектрические свойства среды, соприкасающейся с поверхностью полупроводника. [21]

Для исключения поверхностного пробоя в кремниевом диоде толщину перехода LI ( рис. 3.2, а) в периферийной части кристалла увеличивают по сравнению с толщиной LI в центральной части. Центральная часть перехода формируется диффузией бора, а периферийная - диффузией алюминия. Поэтому напряжение пробоя не зависит от состояния поверхности кристалла. Кроме того, грани кристалла с помощью травления делают наклонными, что увеличивает размеры обедненной области перехода, выходящей на поверхность кристалла, и дополнительно уменьшает возможность поверхностного пробоя. [22]

По своей природе поверхностный пробой может быть лавинным, туннельным или тепловым. [23]

Образцы твердых изоляционных материалов ( а - плоский, расположенный в жидкой изоляционной среде. б - трубчатый и зависимость напряженности поля от радиуса ( в. [24]

При котором происходит поверхностный пробой, называют поверхностным пробивным напряжением. [25]

По своему механизму поверхностный пробой может быть как лавинным, так и туннельным. [26]

По своей природе поверхностный пробой может быть лавинным, туннельным или тепловым. Следовательно, поверхностный пробой является локальным, несколько напоминая пробой из-за дефектов. [27]

По своей природе поверхностный пробой может быть лавинным, туннельным или тепловым. [28]

Для уменьшения возможности поверхностного пробоя выгодно иметь защитные покрытия с высоким значением диэлектрической проницаемости. [29]

В целях предотвращения поверхностного пробоя, прибор необходимо конструировать так, чтобы пробой в объеме наступал при меньшем напряжении, чем пробой по поверхности. [30]

Страницы: 1 2 3 4