Туннельный пробой

Cтраница 1

Вольтамперные характеристики обратной ветви р-п перехода в случае туннельного, лавинного и теплового пробоя.| Зонная диаграмма туннельного пробоя. [1]

Туннельный пробой обычно начинается при напряженности поля порядка 2 107 В / м для германия и 1 108 В / м для кремния. [2]

Зависимость пробивного напряжения при туннельном и лавинном пробое от удельного сопротивления базы диода. [3]

Туннельный пробой может происходить только в р-я-пере-ходах, изготовленных в полупроводниках с большой концентрацией примесей, так как для туннелирования необходимы малая толщина потенциального барьера и, следовательно, малая толщина перехода. При малой толщине перехода пробивные напряжения его оказываются также малыми. Поэтому пренебрегать контактной разностью потенциалов в выражении (3.74) не следует, так как она может быть сравнима с пробивным напряжением. [4]

Зависимость про. [5]

Туннельный пробой может происходить только в р-п-пере-ходах, изготовленных в полупроводниках с большой концентрацией примесей, так как для гуннелирования необходимы малая толщина потенциального барьера и, следовательно, малая ширина перехода. При малой ширине перехода пробивные напряжения его оказываются также малыми. Поэтому пренебрегать контактной разностью потенциалов в выражении (3.74) не следует, так как она может быть сравнима с пробивным напряжением. [6]

Туннельный пробой связан с туннельным эффектом - переходом электронов сквозь потенциальный ( энергетический) барьер без изменения энергии. Электрон туннелирует из точки / в точку 2, гетическим барьером треугольной формы ный треугольник с вершинами в точках электрона при этом не изменяется. [7]

Туннельный пробой наблюдается в узких р-п переходах и состоит в отрыве под действием сильного электрического поля валентных электронов от атомов полупроводника. Образующиеся при этом носители заряда - электроны и дырки - способствуют увеличению обратного тока. [8]

Туннельный пробой, в основе которого лежит квантово-механический туннельный эффект, проявляется в том, что под действием сильного электрического поля перехода происходит эмиссия электронов из валентной зоны в зону проводимости. Этот эффект аналогичен так называемой холодной эмиссии электронов с поверхности металла, находящегося в сильном электрическом поле. [9]

Зависимость про-бивного напряжения при туннельном и лавинном пробое от удельного сопротивления базы диода. [10]

Туннельный пробой может происходить только в электронно-дырочных переходах, изготовленных в полупроводниках с большой концентрацией примесей, так как для туннелирования необходима малая толщина потенциального барьера и, следовательно, малая ширина перехода. При малой ширине перехода пробивные напряжения его оказываются также малыми. Поэтому пренебрегать величиной контактной разности потенциалов в выражении (3.74) не следует - она может быть сравнима с пробивным напряжением. [11]

Туннельный пробой возникает непосредственно при воздействии сильного электрического поля на кристаллическую решетку полупроводникового материала. Для возникновения туннельного пробоя необходим высокий уровень легирования хотя бы одного из контактирующих материалов, образующих диодный р-п-пере-ход. При этом наклон энергетических зон становится таким, что вероятно туннелирование возникающих носителей заряда через запрещенную зону. Туннельный пробой характерен для достаточно сильных электрических полей, причем напряженность поля должна быть тем больше, чем шире запрещенная зона. [12]

Туннельный пробой объясняется явлением туннельного эффекта. Сущность последнего состоит, в том, что при сильном поле напряженностью более 105 В / см, действующем в и - р-переходе малой толщины, некоторые электроны проникают через переход без изменения своей энергии. Тонкие переходы, в которых возможен туннельный эффект, получаются при высокой концентрации примесей. Напряжение, соответствующее туннельному пробою, обычно не превышает единиц вольт. Более подробно туннельный эффект рассматривается в гл. [13]

Полевой пробои р-п-пе-рехода. [14]

Туннельный пробой возникает в очень узких ( тонких) р-я-перехо-дах при напряжении, обычно не превышающем 15 В. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5