Туннельный пробой

Cтраница 3

Так как для туннельного пробоя необходима малая толщина p - n - перехода, он наблюдается в диодах, изготовленных на основе полупроводников с большой концентрацией примесей. Напряжения туннельного пробоя поэтому не превосхбдят нескольких вольт. [31]

Зависимость пробивного напряжения от удельного сопротивления базы диода.| Вольт-амперные характеристики полупроводниковых диодов. [33]

Так как для туннельного пробоя необходима малая ширина области объемного заряда, он наблюдается в электронно-дырочных переходах из материалов с большой концентрацией примесей. Соответствующие значения пробивных напряжений обычно не превосходят нескольких вольт. [34]

В отличие от туннельного пробоя напряжение пробоя при ударной ионизации увеличивается с увеличением температуры. Это связано с уменьшением длины свободного пробега электрона при увеличении температуры. [35]

Для диодов с туннельным пробоем на обратной ветви вольтампернои характеристики напряженность поля в переходе не является сама по себе достаточной для обеспечения туннельного перехода электронов сквозь р-п переход. [36]

Следовательно, при туннельном пробое пробивное напряжение оказывается обратно пропорциональным концентрации примесей в первой степени. [37]

Следовательно, при туннельном пробое пробивное напряжение обратно пропорционально первой степени концентрации примесей. [38]

Зависимость про-бивного напряжения при туннельном и лавинном пробое от удельного сопротивления базы диода. [39]

Следовательно, при туннельном пробое пробивное напряжение оказывается обратно пропорциональным концентрации примесей в первой степени. [40]

Обратная ветвь вольтамперной характеристики диода. / - характеристика при туннельном или лавинном пробое. 2 - характеристика при тепловом пробое. [41]

Таким образом, если туннельный пробой происходит в узких переходах, когда концентрация примесей велика, то лавинный пробой имеет место в широких переходах, когда исходные полупроводники слабо легированы. [42]

Энергетические диаграммы, поясняющие увеличение дифференциального сопротивления с уменьшением напряжения стабилизации для стабилитронов с туннельным пробоем. а - для стабилитрона с пробивным напряжением Упробь 6 - для стабилитрона с пробивным напряжением У ро ( 121 проб1. [43]

Для низковольтных стабилитронов с туннельным пробоем при увеличении концентрации примесей уменьшается толщина p - n - перехода, что и приводит к уменьшению пробивного напряжения и напряжения стабилизации. [44]

Схема умножения. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5