Ван-флека

Cтраница 1

Влияние спин-орбитального и зеемановского взаимодействий на орбитальный синглет со спином 3 / 2. [1]

Ван-Флека ( третий член в (1.10.7)), а также в необходимости учета термической заселенности вышележащих уровней. [2]

Зависимость грамм-атомных восприимчивостей от содержания таллия в стеклах. [3]

Ван-Флека у таллиевых стекол ниже, чем у стекол бинарных систем Ge-Se и As-Se, что, по-видимому, связано с увеличением ионной составляющей химической связи в этих стеклах. [4]

Ван-Флеку [ 1238 J, которая зависит от того, насколько различна связь спина с вращением вокруг осей бис. Гендерсон [493 ] вывел формулы изменения постоянных расщепления уровней с К 1; с ростом К это изменение быстро уменьшается и здесь рассматриваться не будет. Более подробно данный вопрос можно изучить по работам Лина [752] и Курла и Кинсея [260], где рассматривается и сверхтонкая структура. [5]

В теориях Ноэля и Ван-Флека, так же как и в более полной теории Гортера и Хаантьсса [119] и других авторов [120, 121], влияние обменного взаимодействия формально учитывается введением молекулярного поля, подобно тому, как это делается в теории ферромагнетизма Вейс-са. [6]

Лоренца, Онзагера или Ван-Флека. [7]

Авторы благодарят Киттеля, Ван-Флека, Абрагамса и Андерсона за дискуссии. [8]

В теориях Ноэля и Ван-Флека, так же как и в более полной теории Гортера и Хаантьеса [119] и других авторов [120, 121], влияние обменного взаимодействия формально учитывается введением молекулярного поля, подобно тому, как это делается в теории ферромагнетизма Войс са. [9]

Для того чтобы найти орбитальную парамагнитную составляющую Ван-Флека yvp магнитной восприимчивости, необходимо, очевидно, учесть стационарную асферичность электронов в атоме. [10]

Изменение магнитной воспри - менения парамагнетизма имчивости стекол системы As-Se в Ван-Флека. [11]

Борна и Оппенгеймера ( 1927), Эккарта ( 1935), Ван-Флека ( 1935), Вильсона и Говарда ( 1936) и ряда других авторов. [12]

В работе [13] получены общие формулы для вероятностей прямых и комбинационных релаксационных переходов по механизму типа Кронига - Ван-Флека. [13]

При переходе от электронно-колебательных уровней 22, принадлежащих электронному состоянию 2П, к другим уровням, формулы Хилла и Ван-Флека меняются лишь незначительно. [14]

На основании изучения резонансных сигналов от крупнопористого силикагеля, откачанного при 200 С, и расчетов1 второго момента по Ван-Флеку показано, что сигналы ЯМР обусловлены протонами гидроксильных групп, неравномерно расположенных на поверхности. [15]

Страницы: 1 2