Проводимость - переход
Cтраница 1
Проводимость перехода определяется ин-жекцией дырок в n - область и электронов в р-область, причем каждый из эффектов характеризуется длиной диффузии и временем жизни носителя данного типа в соответствующем материале. [1]
В рабочем состоянии на коллекторный переход подается напряжение питания, полярность которого обратна проводимости перехода. Коллекторный и базовый токи появляются при подаче на базу отпирающего напряжения ( полярность напряжения соответствует проводимости базового перехода), превышающего по величине напряжение сдвига Е б - Это напряжение является контактной разностью потенциалов двух материалов, образующих р - переход. [2]
Основная часть приложенного напряжения падает на нейтральной части высокоомного р-слоя, а модуляция проводимости перехода малосущественна. [4]
Тиристор имеет три р - тг-перехода: 1, 2 и 3, причем направление проводимости переходов 1 и 3 совпадает с прямым напряжением тиристора, а направление проводимости перехода 2 противоположно прямому напряжению. На рис. 163 показана в разрезе конструкция тиристора. [5]
Таким образом, можно отметить, что электронно-дырочный переход обладает нелинейной проводимостью; в прямом направлении проводимость перехода значительно больше, чем в обратном. Эта особенность электронно-дырочного перехода находит широкое применение в полупроводниковой электронике, так же как и явление инжекцнн носителей заряда. [6]
У г, этот результат описывается таким же выражением, что и выражение для полного шума, обусловленного действительной составляющей проводимости перехода, и, как таковой, он не является пренебрежимо малым. Но является ли это шумом, обусловленным пересечением носителями обедненного слоя. Рассмотрение выводов корпускулярной модели вынуждает нас прийти к выводу о том, что это не тот шум. [7]
В соответствии с общими представлениями о прототроп-ном и гидродинамическом механизмах проводимости воздействие на воду, разрушающее ее структуру, уменьшает участие в проводимости протонных переходов и повышает гидродинамическую подвижность ионов. Воздействия, приводящие к образованию и расширению структуры воды, вызывают противоположный эффект. Однако результаты исследований Робертса и Норти [ 46д ] растворов, содержащих ионы Cd2, не согласуются с этой моделью. [8]
Тиристор имеет три р - тг-перехода: 1, 2 и 3, причем направление проводимости переходов 1 и 3 совпадает с прямым напряжением тиристора, а направление проводимости перехода 2 противоположно прямому напряжению. На рис. 163 показана в разрезе конструкция тиристора. [9]
Величина напряжения f / K на внутрибазовом переходе также имеет переменную составляющую, но в основном приложенное напряжение падает на выпрямляющем контакте, поэтому для простоты предположим, что переменная составляющая напряжения на внутрибазовом переходе отсутствует. Такое допущение дает возможность получить достаточно точную зависимость проводимости р-п перехода от частоты. [10]
В рабочем состоянии на коллекторный переход подается напряжение питания, полярность которого обратна проводимости перехода. Коллекторный и базовый токи появляются при подаче на базу отпирающего напряжения ( полярность напряжения соответствует проводимости базового перехода), превышающего по величине напряжение сдвига Е б - Это напряжение является контактной разностью потенциалов двух материалов, образующих р - переход. [11]
 |
График, иллюстрирующий процесс включения тринистора. [12] |
Этот процесс развивается сначала в ограниченной области среднего перехода / 2, непосредственно прилегающей к управляющему электроду; поэтому на начальном этапе нарастания тока ( начало интервала времени taf) средний переход / а проводит лишь в пределах небольшой зоны, которая, однако, быстро расширяется и в конце концов захватывает всю площадь перехода. При больших токах управления, имеющих фронт с крутизной несколько ампер в микросекунду, зона начальной проводимости среднего перехода увеличивается. [13]
Значение tup здесь определяется сравнительно медленными процессами диффузии и рекомбинации. Учет этого приводит к отклонению от выражения (3.4) на высоких частотах: в нем появляется дополнительное слагаемое 4kT ( gn - go) A /, где gn и ga - соответственно проводимости перехода на измеряемой и низкой частотах. [14]
 |
Электронно-дырочный переход в замкнутой цепи при воздействии внешнего напряжения. [15] |
Страницы: 1 2