Проводимость - переход
Cтраница 2
Такой переход называют смещенным в прямом направлении. Внешнее поле в р-п-переходе направлено обратно контактному, поэтому потенциальный барьер снижается на величину e0U; такое включение называют прямым; ФПР - Фо - - eoU - Проводимость запорного слоя при этом велика. Проводимость перехода становится еще меньше, чем в условиях отсутствия внешнего поля. [16]
В работе [36] предполагалось, что Напряжение на переходе с экспоненциальной вольт-амперной характеристикой гармоническое. Поскольку ток через проводимость перехода в этом случае содержит бесконечное множество гармоник частоты ог, амплитуды которых описываются модифицированными функциями Беоселя, гармоническое напряжение на переходе возможно лишь при условии, что внешняя цепь диода имеет нулевое сопротивление для всех гармоник гетеродина, кроме первой. Очевидно, что это предположение чрезмерно идеализировано. Точно так же допущение о гармонической форме тока через барьер может быть справедливым только при бесконечном значении Z ( w) на всех гармониках гетеродина, кроме первой. [17]
Для диода с неоднородной базой решено уравнение непрерывности и определены распределение неравновесных носителей и вольтамперная характеристика р-п перехода. Получено выражение скорости рекомбинации на контакте через электрофизические параметры полупроводника. Для определения частотной зависимости проводимости р-п перехода уравнение непрерывности для диода с неоднородной базой сведено к уравнению диода с бесконечной базой, решение которого дало зависимость сопротивления потерь, совпадающую с экспериментальными. Влияние невыпрямляющего контакта полностью учитывается введением эффективного времени жизни неравновесных носителей в базе. [18]
 |
Ключевой двухтактный демодулятор.| Ключевой демодулятор на полупроводниковом триоде. [19] |
Демодулятор выполнен по параллельной схеме с одним триодом. Опорное напряжение, управляющее проводимостью переходов коллектор - эмиттер, приложено между базой и эмиттером. [20]
 |
Матрица ОЗУ с использованием выборки по принципу совпадения CS - выбор кристалла. ( С разрешения Intel Corporation, 1977, 1978. [21] |
В большинстве случаев информация стирается при воздействии на кристалл УФ-излучения. Для изготовления подобных устройств используется технология получения МОП-структуры с плавающим затвором и лавинной инжекцией. В этом случае ячейка памяти похожа на р-каналь-ный полевой транзистор, но с плавающим затвором, окруженным изолирующим 8Ю2 - слоем. Увеличение заряда на затворе вызывает повышение проводимости перехода сток-исток. При программировании такого устройства адресуется определенная ячейка, к которой прикладывается высоковольтный импульс. Высокое напряжение вызывает лавинную инжекцию электронов в область затвора. [22]
Страницы: 1 2